公开(公告)号：CN100359688C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN99104839.3

申请日：1999-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/118 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  H01L24/02 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/30105

Abstract: 每个包括缓冲器或反相器和与缓冲器或反相器的输入管脚连接的用于防止天下损坏或天线规则失效发生的n+扩散层-P阱型保护二极管的中继器单元预先用登记装置(511)登记，作为要在单元库(505)中要登记的单元。用确定装置(514)确定引到栅极的布线导体是否是超过半导体器件中的容许天线比的天线比，如果布线导体超过可容许的天线比，用选择装置(515)把一个或多个中继器单元插入布线导体的任意点。

公开(公告)号：CN101206918B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710199397.1

申请日：2007-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪 ,  车田希总 ,  奥山博昭 ,  山上由展 ,  寺野登志夫

IPC: G11C11/413 ,  H01L27/11 ,  G11C7/18

Abstract: 具有保存存储数据的保存电路、和输出对应保存在保存电路中数据的信号的读出专用输出电路的多个存储单元的半导体记忆装置，上述读出专用输出电路，具有对应于保存在保存电路中的信号被控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。还有，上述读出专用输出电路，具有由读出字选择电路控制的读出驱动晶体管，上述读出驱动晶体管的栅极长度，形成的比构成上述保存电路的晶体管的栅极长度长。

公开(公告)号：CN1893085A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100745.0

申请日：2006-07-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村成志 ,  石仓聪 ,  山田隆顺

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11

Abstract: 提供具有因为元件隔离区域的应力抑制了金属绝缘体半导体晶体管的特性变动的静态随机访问存储器的半导体装置及其制造方法。使第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)从平面看成为一体地形成隔离绝缘膜(26)。并且，位于第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)之间的半导体衬底(11)上形成虚设栅极电极(16c)。并将虚设栅极电极(16c)与衬底接触点区域(Rsub)的p型杂质区域(19)电连接。

公开(公告)号：CN1536674A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410034250.3

申请日：2004-04-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪 ,  里见胜治

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  Y10S257/903

Abstract: 6晶体管型SRAM存储单元一直多采用横型存储单元布局，但因是横长形，例如当使位线为第2或第3层布线时，前者在横向延伸的字线与VSS电源在同一层中靠近地并排延伸，从而字线寄生电容增大和布线微粒引起的成品率降低；后者的位线被VSS电源与VDD电源夹着并排延伸，从而位线寄生电容增大。本发明分别用第2、第3、第4层布线配置正/负位线、字线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4层布线配置字线、正/负位线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置VDD电源布线、正/负位线、字线、VSS电源布线。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置正/负位线、VDD电源布线、字线、VSS电源布线。

公开(公告)号：CN1231513A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN99104839.3

申请日：1999-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石仓聪

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/118 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5077 ,  H01L24/02 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/30105

Abstract: 每个包括缓冲器或反相器或与缓冲器或反相器的输入管脚连接的用于防止天线损坏或天线规则失效发生的n+扩散层－P阱型保护二极管的中继器单元预先用登记装置511登记,作为要在单元库505中要登记的单元。用确定装置514确定引到栅极的布线导体是否是超过半导体器件中的容许天线比的天线比,如果布线导体超过可容许的天线比,用选择装置515把一个或多个中继器单元插入布线导体的任意点。