公开(公告)号：CN1365522A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800687.6

申请日：2001-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  久保实

IPC: H01L29/161 ,  H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/161 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/265

Abstract: 在Si衬底101上,利用UHV－CVD法,使B掺杂Si1－x－yGexCy层102(0

公开(公告)号：CN102612716A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004518.7

申请日：2011-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  高木刚

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

Abstract: 非易失性存储装置(800)具备电阻变化型的非易失性存储元件(100)和控制电路(810)。控制电路(810)，判断高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值是否为预先规定的阈值以上。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值小于阈值的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加第一电压(VL1)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。并且，控制电路(810)，在高电阻状态下的非易失性存储元件(100)的电阻值为阈值以上的情况下，通过向非易失性存储元件(100)施加绝对值比第1电压(VL1)小的第2电压(VL2)，从而使非易失性存储元件(100)从高电阻状态变化为低电阻状态。

公开(公告)号：CN101689548B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200980000538.X

申请日：2009-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三谷觉 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  魏志强 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。

公开(公告)号：CN101828262B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200880111811.1

申请日：2008-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  村冈俊作 ,  三谷觉 ,  魏志强 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。

公开(公告)号：CN101828262A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880111811.1

申请日：2008-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  村冈俊作 ,  三谷觉 ,  魏志强 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。

公开(公告)号：CN101779287A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200880025595.9

申请日：2008-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛川一彦 ,  神泽好彦 ,  三谷觉 ,  村冈俊作

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。

公开(公告)号：CN1799146A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015008.X

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 空田晴之 ,  高木刚 ,  浅井明 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  岩永顺子

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一绝缘层(11)；由在第一绝缘层上形成的岛状的半导体构成的第一主体部(13)；由在第一绝缘层上形成的岛状半导体构成的第二主体部(14)；在第一绝缘层上，连接第一主体部和第二主体部而形成的脊骨状的连接部(15)；由在连接部的长度方向上的至少一部分构成的通道区域(15a)；通过第二绝缘层(17)覆盖通道区域的外周而形成的栅极(18)；横跨第一主体部、和连接部的、该第一主体部与通道区域之间的部分而形成的源极区域；以及横跨第二主体部、和连接部的、该第二主体部与通道区域之间的部分而形成的漏极区域；其中，构成通道区域的半导体具有晶格应变。

公开(公告)号：CN1168147C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。

公开(公告)号：CN1267916A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/24 ,  H01L21/328 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN101978496B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200980100360.6

申请日：2009-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三谷觉 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  高木刚

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfOx(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfOy(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。