-
公开(公告)号：CN102971875A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032755.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/54
CPC classification number: H01L33/32 , H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/54 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在具有偏振特性的氮化物系半导体发光元件的周围，将具有圆柱形状的透光性密封部设为，圆柱形状的对称面相对于氮化物系半导体发光元件的偏振方向处于25～65度的范围。
-
公开(公告)号：CN102648535A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080042883.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L25/0753 , G02F1/133603 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置是至少具备第一以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一以及第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，半导体芯片包括由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠构造(45)，氮化物系半导体层叠构造(20)包括由氮化物半导体层构成的活性层区域(24)，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域层叠构造中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，第一以及第二氮化物系半导体发光元件分别从活性层区域(24)射出偏振光，在设第一以及第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ1以及λ2，设第一以及第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度为d1以及d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
-
公开(公告)号：CN102456821A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317627.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/18 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。
-
公开(公告)号：CN102334204A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
-
公开(公告)号：CN102318039A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102334204B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
-
公开(公告)号：CN102369590A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014405.0
申请日：2010-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16
Abstract: 实行如下工序：将至少在上表面具有-r面氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将反应室内的基板进行加热，而使基板的温度上升的升温工序(S2)；在基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)。在升温工序(S2)中，将氮气源和III族元素气源供给到反应室内。
-
公开(公告)号：CN102356477A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200980158076.4
申请日：2009-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
-
公开(公告)号：CN104649378A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410455407.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C02F1/48
CPC classification number: C02F1/4608 , C02F1/46114 , C02F1/467 , C02F2001/46138 , C02F2201/4611 , C02F2201/46175 , C02F2201/4619 , C02F2301/043 , C02F2303/04 , C02F1/48 , C02F2201/002 , C02F2201/48
Abstract: 本申请提供一种液体处理装置及液体处理方法。本申请的液体处理装置(100)具备：电介质管(101)，形成供被处理水流动的流路，所述流路在上游至少分流为第1流路(101a)和第2流路(101b)，在下游至少第1流路(101a)与第2流路(101b)合流；第1电极(102)，至少一部分配置在第1流路(101a)内；第2电极(103)，至少一部分配置在第1流路(101a)内；第1气体供给部(105)，向在第1流路(101a)内流动的被处理水中供给用于产生气泡的气体；以及第1电源(104)，向第1电极(102)与第2电极(103)之间施加电压。
-
公开(公告)号：CN103003962A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201280002076.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.033 seconds)
