公开(公告)号：CN1914552A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003270.7

申请日：2005-01-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  小路博信

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

Abstract: 在目前情形中，在制造过程大量使用了旋转涂敷的薄膜制备方法。随着将来基板尺寸的增大，使用旋转涂敷的薄膜制备方法在批量生产方面具有不利的方面，因为用于旋转大尺寸基板的机械装置变大并存在大量的材料溶液损耗或废液。根据本发明，在半导体装置制造过程中，通过小滴释放选择性地释放光敏导电材料溶液，选择性地曝光于激光等，并进行显影，由此可以实现精微导电图形。因为缩短了图形化过程并可减小导电图形制备过程中使用的材料量，本发明可以大幅减小成本。因此，本发明可以应用于制造大尺寸基板。

公开(公告)号：CN1581440A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058844.8

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  古山将树 ,  小路博信

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造结晶半导体膜的方法，它包含：利用用来促进晶化的金属元素进行晶化以便控制取向的步骤，以及辐照一次激光以便形成具有以规则间距排列在网格图形中的小晶粒的结晶半导体膜的步骤。在根据上述目的提出的本发明中，以借助于将用来促进晶化的金属元素加入到非晶半导体膜而形成结晶半导体膜并将其偏振方向受到控制的脉冲激光辐照到其上的方式，及在结晶半导体膜表面上形成网格图形。半波片或镜被用作用来控制偏振方向的装置。

公开(公告)号：CN102522372A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110431108.2

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。

公开(公告)号：CN102176427A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110043999.4

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/77 ,  H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L23/64 ,  H01L23/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN101101872B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200710127144.3

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 显示装置的制造方法；当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。

公开(公告)号：CN101064247B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710100936.1

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山纯矢 ,  神保安弘 ,  小路博信 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L21/7806 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/13613 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供如下技术方案：从衬底剥离通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，并将其转置到柔性衬底(典型为塑料膜)上。在本发明中，使用常规的大型玻璃衬底用制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜(Mo膜)并在其表面上形成氧化膜，并且在钼膜及其表面上通过比较低温(低于500℃)的步骤而制造的元件，然后从玻璃衬底剥离该元件，并将其转置到柔性衬底上。

公开(公告)号：CN1734736B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

公开(公告)号：CN101625472A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910152136.3

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  江口晋吾 ,  增山光男 ,  片庭正敏 ,  小路博信 ,  中田昌孝

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F2201/503 ,  G02F2202/22

Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。

公开(公告)号：CN100437976C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510051846.9

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  小路博信

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明公开了在一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤，利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，利用激光束对其进行照射使第一薄膜图案曝光，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘，而形成源极和漏极，并在源极和漏极上，形成半导体层，栅绝缘层，和栅极。

公开(公告)号：CN101118849A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710138353.8

申请日：2007-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小路博信 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  森若智昭 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底的一个表面上形成吸收光的层；在吸收光的层上提供第二衬底；与第一衬底的另一个表面相对地提供掩模；以及通过经由掩模对吸收光的层照射激光束，将吸收光的层的一部分转印到第二衬底。