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公开(公告)号：CN118773705A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310377035.6
申请日：2023-04-10
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆固持装置及电镀设备。该晶圆固持装置包括晶圆卡盘和辅助阴极。其中，晶圆卡盘用于承载异形晶圆，异形晶圆边缘具有多个尖锐部位；辅助阴极装设于晶圆卡盘，辅助阴极被配置为与各尖锐部位相对应，用于在异形晶圆被电镀时，均衡尖锐部位过量的电场。本发明通过将辅助阴极装设于晶圆卡盘，以吸引异形晶圆各尖锐部位过量的电场，进而实现了改善异形晶圆电镀工艺的效果。
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公开(公告)号：CN118596130A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310207403.2
申请日：2023-03-06
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: B25J9/16 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶圆转移控制系统及方法，在晶圆转移控制系统中包括数据采集模块、机械手及控制器，其中控制器与机械手通信连接，且控制器中存储有关于晶圆参数与机械手操作参数对应关系的标准数据库，且通过数据采集模块可获取待处理的晶圆对应的实际晶圆参数，控制器在获取实际晶圆参数以及在将获取的实际晶圆参数与标准数据库进行比对后，可获取晶圆对应的实际机械手操作参数，从而控制器结合获取的实际机械手操作参数可实现对机械手的调控，以启动机械手转移晶圆，本发明可有效提高晶圆转移效率、降低成本、提高良率。
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公开(公告)号：CN118136562A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211536503.1
申请日：2022-12-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提出的基板处理装置通过水平移动的中转机械手串联多个竖直移动的工艺机械手，实现基板从装置的前端向后端传输，或者基板从装置的后端向前端传输，中转机械手一次传输多片基板，可以保证及时转运多个工艺机械手要处理或处理完毕的基板，工艺机械手在竖直方向移动负责多个处理室的传片任务，各工艺机械手移动行程缩短且负荷均匀，利于减小基板传送的时间间隔，提高基板的传输效率，降低处理室的空闲时间，进而提升装置整体的产能。
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公开(公告)号：CN117747518A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211117036.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体为一种晶圆对中调节装置及调节方法。在晶圆刻蚀前，晶圆对中系统确认晶圆圆心与第一吸附平台中心是否重合，若不重合，则晶圆对中系统修正晶圆的位置。晶圆刻蚀完成后，晶圆洗边效果检测系统确认晶圆刻蚀过程中晶圆圆心与第一吸附平台中心是否重合并获得第二偏移数据。晶圆洗边效果检测系统将第二偏移数据反馈至晶圆对中系统。在下一片晶圆刻蚀前，晶圆对中系统先获取第一偏移数据并修正，再依据前一片晶圆刻蚀后所获得的第二偏移数据对晶圆位置进行二次修正，由此实现对中调节装置的闭环控制。此外，二次修正极大地提高了晶圆圆心与第一吸附平台中心的重合度，有效保证了晶圆边缘刻蚀宽度的均一性。
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公开(公告)号：CN117711970A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211097223.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 半导体设备及其流体供应装置。本发明提供一种流体供应装置，包括：喷头和流体管路，所述流体管路与喷头相连，用以向喷头供应流体；摆动臂，所述摆动臂的一端与所述喷头连接；支撑杆，所述支撑杆的上端与所述摆动臂的另一端连接；转动套筒，所述转动套筒内设置有升降驱动机构，所述升降驱动机构包括推杆，所述推杆与所述支撑杆的下端相连，用以驱动支撑杆相对转动套筒升降；旋转驱动机构，用以驱动转动套筒及支撑杆同步旋转；其中，推杆和支撑杆内部形成贯通的中空通道，所述流体管路经所述中空通道与喷头相连。本发明能够实现流体供应装置的良好清洗效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117702225A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211082935.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆电镀装置的保护罩，包括壳体、第一环形挡板和第二环形挡板，所述第一环形挡板和所述第二环形挡板都位于所述壳体的内部，所述壳体和所述第一环形挡板围设形成液体收集槽，所述第二环形挡板位于所述第一环形挡板的上方，所述第二环形挡板将所述液体收集槽分隔为上下同轴设置的上收集槽和下收集槽，其中，当所述晶圆电镀装置执行冲洗作业时，待冲洗工件位于所述第二环形挡板的上方，所述液体收集槽用于收集从所述待冲洗工件上甩出的冲洗液。采用该保护罩可以有效平衡晶圆电镀工艺中的落水量和化学液损耗量。
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公开(公告)号：CN117672905A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211056958.3
申请日：2022-08-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 基板热处理装置包括固定框架；移动底座，用于装载热处理模块；有限板式运动导轨，移动底座通过有限板式运动导轨可移动地安装在固定框架内，第一定位销组件，用于在移动底座运动方向上对移动底座进行定位固定；至少两组滑动组件，分布在移动底座垂直于运动方向的水平方向的两侧，每组滑动组件包括相互配合的导向轮和滑轨，至少一组滑动组件的导向轮和滑轨采用定位轮和定位滑轨，用于在与移动底座运动方向垂直的水平方向上对移动底座进行定位。本发明还提出了一种半导体设备，包括至少一个备用基板热处理装置。
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公开(公告)号：CN117542779A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210917475.1
申请日：2022-08-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种晶圆翻转装置、晶圆翻转方法和半导体机台。该晶圆翻转装置包括晶圆夹持机构和旋转机构，晶圆夹持机构包括第一移动单元、第二移动单元、第一夹持单元和第二夹持单元，第一夹持单元包括设置在第一移动单元上的至少一组第一托块组，每组第一托块组包括至少两个第一托块；第二夹持单元包括设置在第二移动单元上的至少一组第二托块组，每组第二托块组包括至少两个第二托块，第一托块组和第二托块组一一对应，对应的一组第一托块组和一组第二托块组相互配合以夹持一片晶圆，不同的第一托块组和对应的第二托块组用于夹持至少一种尺寸的晶圆。本发明可以夹持和翻转多个尺寸相同或不同的晶圆。
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公开(公告)号：CN117276113A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210666391.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种湿法工艺中的喷嘴控制方法、装置和计算机可读介质。该方法包括：设置喷嘴的移动路径，所述移动路径包括多个特征位置；构建控制菜单，所述控制菜单中包括所述喷嘴在每个所述特征位置的工作参数，所述工作参数包括喷嘴移动速度和喷液流量，其中，所述喷嘴在相邻的特征位置之间采用匀变速方式移动；以及根据所述控制菜单控制所述喷嘴沿着所述移动路径移动，并在每个所述特征位置根据对应的所述工作参数工作。采用本发明的方法和装置可以使晶圆的清洗或刻蚀效果具有良好的均一性。
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公开(公告)号：CN110383455B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780087928.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种半导体基板清洗装置。装置包括腔室(101)、卡盘(102)、液体收集器(104)、围墙(105)、至少一个驱动装置(106)、至少一个内部分配器(111)及至少一个外部分配器(118)。腔室(101)具有顶壁(1011)、侧壁(1012)和底壁(1013)。卡盘(102)设置在腔室(101)内用来保持半导体基板(103)。液体收集器(104)围绕着卡盘(102)。围墙(105)围绕着液体收集器(104)。所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)上下移动，其中，当所述的至少一个驱动装置(106)驱动围墙(105)向上移动时，由液体收集器(104)、围墙(105)、腔室(101)的顶壁(1011)及腔室(101)的底壁(1013)形成密封室(110)。所述的至少一个内部分配器(111)设置在该密封室(110)内。所述的至少一个外部分配器(118)设置在该密封室(110)外。在使围墙(105)向下移动后，所述的至少一个外部分配器(118)能进、出该密封室(110)。
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