公开(公告)号：CN101079432A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710107310.3

申请日：2007-05-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤野敏夫 ,  町田晓夫 ,  河野正洋

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  G02F1/1368

Abstract: 一种显示装置，包括设置的驱动基板，其上排列有多个像素电极以及用于驱动像素电极的薄膜晶体管。每个薄膜晶体管均包括具有通过能量束照射而多结晶化的有源区的半导体薄膜以及被设置以横跨有源区的栅电极，并且在与栅电极重叠的有源区的沟道部中，沿沟道长度方向周期性地改变结晶状态，并且基本相同的结晶状态横跨沟道部。

公开(公告)号：CN101038938A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710103568.6

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了一种薄膜半导体装置及其制备方法，该薄膜半导体装置包括：半导体薄膜，设置成具有通过使用能量束照射而转变为多晶区域的有源区域；和栅电极，设置成被提供来横穿过有源区域；其中连续的晶界在有源区域与栅电极交叠的沟道部分中沿栅电极延伸，并且晶界横穿过沟道部分和在沟道长度方向循环地被提供。

公开(公告)号：CN101038868A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710103569.0

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 藤野敏夫 ,  町田晓夫 ,  河野正洋

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明公开了一种通过在半导体薄膜上连续照射能量光束同时以特定的速度扫描来结晶半导体薄膜的方法，其中，半导体薄膜完全熔化，并且设定能量束的照射条件，使得结合使用能量束的扫描使处于能量束的中心位置的半导体薄膜最后结晶。

公开(公告)号：CN1157764C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN00802961.X

申请日：2000-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  德哈拉姆·P·侯赛因 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种无裂缝并且具有优异功能特性的功能器件及其制造方法。在有机材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的衬底(11)上，按照以下顺序形成低温软化层(12)和耐热层(13)，在其上形成多晶硅的功能层(14)。通过激光束照射使作为前体层的非晶硅层晶化，形成功能层(14)。当施加激光束时，热量传导到衬底(11)，衬底(11)发生膨胀。但是，因衬底(11)和功能层(14)之间的热膨胀系数差引起的应力被低温软化层(12)吸收，以致功能层(14)不产生裂缝和剥离。低温软化层(12)最好由含有丙烯酸树脂的聚合物材料制成。通过在衬底(11)和功能层(14)之间适当地插入金属层和耐热层，能够照射更高强度的激光束。

公开(公告)号：CN1337063A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802961.X

申请日：2000-11-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  德哈拉姆·P·侯赛因 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种无裂缝并且具有优异功能特性的功能器件及其制造方法。在有机材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的衬底(11)上,按照以下顺序形成低温软化层(12)和耐热层(13),在其上形成多晶硅的功能层(14)。通过激光束照射使作为前体层的非晶硅层晶化,形成功能层(14)。当施加激光束时,热量传导到衬底(11),衬底(11)发生膨胀。但是,因衬底(11)和功能层(14)之间的热膨胀系数差引起的应力被低温软化层(12)吸收,以致功能层(14)不产生裂缝和剥离。低温软化层(12)最好由含有丙烯酸树脂的聚合物材料制成。通过在衬底(11)和功能层(14)之间适当地插入金属层和耐热层,能够照射更高强度的激光束。

公开(公告)号：CN101150057B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200710154784.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/268 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩散。

公开(公告)号：CN101038937B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710086328.X

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。

公开(公告)号：CN101150057A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710154784.3

申请日：2007-09-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  藤野敏夫 ,  河野正洋

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/268 ,  H01L29/78618

Abstract: 一种薄膜半导体装置及其制造方法，在该制造方法中，在存在n型或p型杂质的情况下以能量束点照射半导体薄膜，以形成浅扩散层，在该浅扩散层中，所述杂质仅在半导体薄膜的表面层中扩散。

公开(公告)号：CN100338781C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN00128327.8

申请日：2000-11-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  达拉姆·帕尔·高塞恩 ,  野口隆 ,  堆井节夫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/204 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 对于制造像包括有机高分子聚合物材料的基体、氧化物电极薄膜和在氧化物电极薄膜上的各含有至少一种IV族元素的半导体薄膜的薄膜太阳能电池之类的半导体器件来说，例如，在像不含有氢气之类的非还原性气氛下用溅射堆积与氧化物电极薄膜接触的一层半导体薄膜。保证在氧化物电极薄膜和半导体薄膜之间的界面上基本上不含有直径达3纳米及以上的粒状产物。所以，在表面上有ITO薄膜那样的氧化物电极薄膜的塑料衬底上，能够堆积像非晶半导体薄膜之类的半导体薄膜带有增强的粘附力。

公开(公告)号：CN1770393A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107040.7

申请日：2005-09-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田晓夫 ,  赤尾裕隆 ,  龟井隆广 ,  中尾勇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。