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公开(公告)号：CN101714566A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910179411.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H01L31/102 , H01L31/101 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/145
Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101661371A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170441.5
申请日：2009-08-26
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G06F3/045 , G02F1/13338 , G02F1/133707 , G02F2001/13396 , G02F2001/13398 , G02F2001/134372 , G06F3/0412 , G06F3/0421
Abstract: 提供了一种具有简单结构的信息输入设备，其允许方便地输入关于外部相邻物体的信息。所述信息输入设备包括：输入面板，具有检测外部相邻物体的检测功能；位置检测部分，基于由输入面板获得的外部相邻物体的检测信号，获取该外部相邻物体的位置信息和面积信息；以及图像生成部分，其基于所述位置信息和面积信息，生成要在根据所述外部相邻物体的行为的绘图处理中使用的绘图数据，使得以根据由所述面积信息表示的外部相邻物体的面积值的方式执行绘图处理。
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公开(公告)号：CN101636691A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880009062.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 , 田中勉 , 高德真人
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F1/1368 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/66765
Abstract: 在同一基板上方形成开关元件和光传感器元件的情况下，当为了提高光传感器元件的灵敏度而增大活性层的膜厚度时，会对开关元件(TFT)的特性产生不利影响。在本发明的显示器的结构中，在以矩阵状设有多个像素的玻璃基板(5)上方的栅极绝缘膜(24)上设有沟道层(25)和光电转换层(35)，该沟道层(25)构成用于形成像素的开关元件的薄膜晶体管，该光电转换层(35)构成光传感器元件。光电转换层(35)被形成为比沟道层(25)厚，并且/或者光电转换层(35)由与沟道层(25)的材料不同的材料形成，因而使得光电转换层(35)的光吸收系数高于沟道层(25)的光吸收系数。
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公开(公告)号：CN101451684A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178898.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 索尼株式会社
IPC: F21V8/00 , F21V5/00 , G02B6/00 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/0043 , G02B6/0036 , G02B6/0068
Abstract: 本发明公开了面发射装置、光导及光导的制造方法。该面发射装置包括：第一光源，发射不可见光线；第二光源，发射可见光线；光导，具有光入射表面，通过该光入射表面使从第一光源出射的不可见光线和从第二光源出射的可见光线进入光导，和光出射表面，通过该光出射表面使不可见光线和可见光线从光导出射；和多个光学器件，设置在光导的与光出射表面相对的表面上，用于与可见光线相比更多地散射不可见光线。
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公开(公告)号：CN101533857B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910008779.0
申请日：2009-03-09
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 达拉姆·帕尔·高赛因 , 田中勉 , 诸沢成浩
IPC: H01L29/786 , H01L21/20 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78651
Abstract: 本发明提供了一种可以可靠地防止光进入到活性层中的薄膜晶体管，以及包括该薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括：栅极电极；活性层；以及设置在所述栅极电极和所述活性层之间的栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜包括第一绝缘膜、第一光吸收层和第二绝缘膜，所述第一绝缘膜被布置成与所述栅极电极接触，所述第一光吸收层被布置成与所述第一绝缘膜接触并且由用于吸收波长为420nm以下的光的材料制成，所述第二绝缘膜被布置在所述第一光吸收层和所述活性层之间。本发明的薄膜晶体管能使第一光吸收层与活性层之间的距离变得非常小，因而可靠地防止光进入到活性层中，并且使特性稳定化。所以，能防止诸如对比度或亮度等显示质量的劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499498B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC: H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC classification number: G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN101714566B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910179411.0
申请日：2009-10-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/02 , H01L31/102 , H01L31/101 , H01L29/861
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L31/145
Abstract: 本发明提供了传感器元件、驱动其的方法、输入装置、显示装置和通信装置。传感器元件包括：彼此串联连接的两个二极管元件，以及电容元件，电容元件的一端连接到两个二极管元件之间的结点。二极管元件每个均包括：半导体层，其具有在面内方向上彼此面对的p型半导体区域和n型半导体区域；阳电极，其连接到p型半导体区域；阴电极，其连接到n型半导体区域；栅极绝缘膜，其在层叠方向上面对半导体层；以及栅电极，栅电极面对半导体层，且栅极绝缘膜位于栅电极与半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101471391B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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公开(公告)号：CN101499498A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910009810.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 田中勉 , 达拉姆·帕尔·戈斯艾因
IPC: H01L31/113 , H01L29/78 , H01L27/146 , G11C11/42
CPC classification number: G11C13/047 , H01L27/14609 , H01L29/7869 , H04N5/374
Abstract: 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg－Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
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公开(公告)号：CN101471391A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810188371.1
申请日：2008-12-25
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L31/105 , H01L27/144 , H01L27/32
Abstract: 本发明提供了光接收元件和显示装置。该光接收元件包括：第一导电型半导体区域，其被构造为形成于元件形成表面的上方；第二导电型半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方；中间半导体区域，其被构造为形成于所述元件形成表面的上方且在所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间，并且所述中间半导体区域的杂质浓度低于所述第一导电型半导体区域的杂质浓度和所述第二导电型半导体区域的杂质浓度。所述光接收元件还包括：第一电极，其被构造为与所述第一导电型半导体区域电连接；第二电极，其被构造为与所述第二导电型半导体区域电连接；以及控制电极，其被构造为形成于位于所述元件形成表面上的相对区域中。
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