公开(公告)号：CN108735758A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810372353.2

申请日：2018-04-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： J·D·霍普金斯 ,  D·戴寇克

IPC: H01L27/11563

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/2251 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/1037

Abstract: 本申请是针对竖向延伸的存储器单元串以及形成竖向延伸的存储器单元串的方法。所述方法包括形成在竖向方向上处于上部堆叠与下部堆叠之间的介入结构，所述上部堆叠和所述下部堆叠分别包括有包括不同组分材料的交替层。所述介入结构被形成为包括竖向延伸的掺杂剂扩散阻挡层和横向中央材料，所述横向中央材料在所述掺杂剂扩散阻挡层的横向内侧且其中具有掺杂剂。所述掺杂剂中的一些从所述横向中央材料热扩散到上部堆叠沟道材料中。在所述热扩散期间使用所述掺杂剂扩散阻挡层，以使得相比于所述掺杂剂扩散到下部堆叠沟道材料中(若存在)，所述掺杂剂更多地热扩散到所述上部堆叠沟道材料中。本发明公开包含与方法无关的结构的其它实施例。

公开(公告)号：CN119212388A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411326013.8

申请日：2020-10-20

Applicant: 美光科技公司

Inventor： B·布尚 ,  D·戴寇克 ,  S·克里希南 ,  L·E·维博沃

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20

Abstract: 本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环。在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料。

公开(公告)号：CN112802847B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202011122699.0

申请日：2020-10-20

Applicant: 美光科技公司

Inventor： B·布尚 ,  D·戴寇克 ,  S·克里希南 ,  L·E·维博沃

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 本申请案涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。第一绝缘体材料在所述堆叠上方。所述第一绝缘体材料包括(a)和(b)中的至少一个，其中(a)：硅、氮，以及碳、氧、硼和磷中的一或多个，且(b)：碳化硅。沟道材料串处于所述堆叠正上方的最上部材料中并且从所述最上部材料向上突起。导电材料直接抵靠所述向上突起的沟道材料串中各自的横向内侧部并且从所述个别向上突起的沟道材料串向上突起。形成各自周向围绕所述向上突起导电材料包括绝缘材料的圆环。在所述第一绝缘体材料、所述圆环和所述向上突起导电材料上方形成第二绝缘体材料。所述第一绝缘体材料和第二绝缘体材料包括相对彼此不同的组成。在所述第二绝缘体材料中形成导电通孔，所述导电通孔各自通过所述向上突起导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。

公开(公告)号：CN111106118B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201911017035.5

申请日：2019-10-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘浏 ,  D·戴寇克 ,  R·K·本斯利 ,  G·马佐内 ,  N·比利克 ,  J·D·格林利 ,  M·李 ,  李奔奔

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 本申请涉及包含堆叠的存储器叠组的集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含形成堆叠的存储器叠组的方法。第一叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第一层的第一存储器单元，且具有延伸穿过所述第一层的第一沟道材料柱。叠组间结构在所述第一叠组上。所述叠组间结构包含绝缘扩大区，以及延伸穿过所述绝缘扩大区且直接在所述第一沟道材料柱上的区。所述区包含蚀刻终止结构。第二叠组形成于所述叠组间结构上。所述第二叠组具有布置成一层安置在另一层之上的第二层的第二存储器单元。开口经形成以延伸穿过所述第二层，且延伸到所述蚀刻终止结构。所述开口随后延伸穿过所述蚀刻终止结构。第二沟道材料柱形成于所述开口内，且耦合到所述第一沟道材料柱。一些实施例包含集成组件。

公开(公告)号：CN110235246A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009394.3

申请日：2018-02-01

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·戴寇克 ,  R·J·希尔 ,  C·拉森 ,  金吴熙 ,  J·B·德胡特 ,  B·D·洛 ,  J·D·霍普金斯 ,  陶谦 ,  B·L·凯西

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/1157

Abstract: 一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级和字线层级的竖直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区的终端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区而非沿着所述绝缘层级。所述电荷捕集材料通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区间隔开。沟道材料沿着所述堆叠竖直地延伸且通过电介质材料与所述电荷捕集材料横向间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。