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公开(公告)号：CN103288044B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210075851.3
申请日：2012-03-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B23K1/0008 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2207/012 , B81C3/005 , B81C2203/057 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明提供一种精准集成三轴MEMS装置到基板的方法，其利用表面张力使待安装到基板或引线框架上的z轴传感装置与xy平面以精确角度对齐。根据本发明，z轴传感装置的高度小于或大致等于其y维宽度，而z轴传感装置的x维纵向长度大于y维或z维尺寸。因此，不同于又薄又高的墙的形状，z轴传感装置的构造使其非常难于垂直对齐，延长了的z轴传感装置安装在短的z轴上，这样使其更容易垂直对齐并安装。
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公开(公告)号：CN103107098A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110359149.5
申请日：2011-11-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种先进方形扁平无引脚的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供晶圆、芯片和引线框架；对引线框架进行半刻蚀，晶圆正面形成正态分布排列的引脚；减薄晶圆厚度到预定厚度，划片，在引线框架的小岛区域装入芯片，对芯片进行固化，再对装好芯片的引线框架进行清洗，以及引线键合；用塑封机进行塑封，并对引线框架中引脚与引脚之间通过半刻蚀步骤而形成的连筋进行湿法刻蚀，使得连筋断开，引脚与引脚之间分离，再进行清洗，清洗后进行电镀；在塑封体表面进行打标，再切割引线框架，形成单体封装产品。本发明通过改进I/O连接方式，有效提高单位封装表面积内的I/O端口，从而提高了相同封装表面积内的可集成度。
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公开(公告)号：CN101746710B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010022446.6
申请日：2010-01-06
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种预埋金属通孔圆片的制造方法及其装置。其中该方法包括有以下步骤：将线形金属从一个承载装置及模具底部的通孔中穿过，通过模具的收容腔后，再穿过另一承载装置的通孔，然后固定在各承载装置的两端并拉紧。将圆片原料注入模具的收容腔内，加热模具至圆片原料的软化点100度以上的温度，然后保温至少10分钟。冷却模具至室温，取出圆片柱体，切割圆片柱体，得到带金属通孔的圆片。本发明涉及的预埋金属通孔圆片制造方法及其装置，圆片制造成本低，利于圆片的大量生产，使得其可被广泛的应用。
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公开(公告)号：CN103117232B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201110364933.5
申请日：2011-11-16
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/10155
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行第一次凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间进行两次开槽，第一槽的宽度大于第二槽的宽度，第一槽的深度小于第二槽的深度，且小于芯片单元的厚度，并且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第一槽和第二槽内填充包覆材料；对晶圆背面进行包覆，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。
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公开(公告)号：CN102730617A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110087553.1
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明涉及一种集成磁和加速度传感器的封装结构及其封装方法，其包括第一晶圆、键合在第一晶圆正面上方的第二晶圆以及倒装于第一晶圆背面的磁传感器。其中第一晶圆上设有驱动加速度传感器和磁传感器的驱动电路以及加速度传感器的结构电路，第一晶圆上还开设有第一腔体，第一腔体中设有加速度传感器的机械结构。第二晶圆上设有与第一腔体配合的第二腔体，第二腔体的尺寸大于或等于加速度传感器机械机构的尺寸。本发明将三轴加速度传感器和三轴磁传感器集成到同一个封装结构，实现了六轴传感器的高度集成，有利于传感器功能的进一步集成与开发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103762201B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410038648.8
申请日：2014-01-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , B81B7/00 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器、半导体封装器件及方法，其中所述半导体封装器件包括：包括多个芯片连接端、多个第一引脚端、多个第二引脚端和多个桥接端的引线框架；具有多个压焊区的芯片，各个压焊区分别与各个芯片连接端相连；多个桥接部件，它们的一端分别与相应的桥接端相连，它们的另一端作为第三引脚端；包覆引线框架、芯片以及桥接部件的封装体，第一引脚端外露于封装体的第一表面，第二引脚端的一个表面外露于封装体的第一表面，第二引脚端的另一个表面外露于封装体的与第一表面相邻接的第二表面，第三引脚端外露于封装体的第二表面。本发明采用了普通的引线框架，成熟的铜夹工艺，制造成本低，焊端面切割而成，共面度高，降低板级焊接难度。
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公开(公告)号：CN102738385B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110087325.4
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。
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公开(公告)号：CN102738385A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110087325.4
申请日：2011-04-08
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。
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公开(公告)号：CN101587847B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910033190.6
申请日：2009-06-15
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种利用PCB基板进行垂直互连的多芯片组件封装方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在叠层PCB基板侧壁形成一个或多个有电路图形布线的侧壁腔体，且侧壁腔体内具有侧壁焊盘；在叠层PCB基板的上表面形成一个平面或形成具有一个或多个表面腔体的平面，在所述平面上或腔体内具有用于表贴芯片的电路布线；2)在叠层PCB基板的侧壁或侧壁腔体内垂直贴装芯片，将贴装好的芯片用环氧树脂胶水进行保护；3)在叠层PCB基板的上表面的平面或腔体内贴装芯片，将贴装好的芯片用环氧树脂胶水进行保护。本发明是基于叠层PCB基板将IC或MEMS等芯片进行垂直贴片实现多芯片组件封装，能够使芯片测量垂直方向上的物理量。
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公开(公告)号：CN203768003U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420050748.8
申请日：2014-01-26
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型提供一种MEMS传感器及半导体封装器件，其中所述半导体封装器件包括：包括多个芯片连接端、多个第一引脚端、多个第二引脚端和多个桥接端的引线框架；具有多个压焊区的芯片，各个压焊区分别与各个芯片连接端相连；多个桥接部件，它们的一端分别与相应的桥接端相连，它们的另一端作为第三引脚端；包覆引线框架、芯片以及桥接部件的封装体，第一引脚端外露于封装体的第一表面，第二引脚端的一个表面外露于封装体的第一表面，第二引脚端的另一个表面外露于封装体的与第一表面相邻接的第二表面，第三引脚端外露于封装体的第二表面。本实用新型涉及一种包括PCB板以及上述半导体封装器件的MEMS传感器。本实用新型采用了普通的引线框架，成熟的铜夹工艺，制造成本低，焊端面切割而成，共面度高，降低板级焊接难度。
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