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公开(公告)号：CN106353963A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610520850.3
申请日：2016-07-05
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩膜的形成的相移掩膜半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有：相移层；反射率降低层；金属层，其设置在相移层与反射率降低层之间，在350nm～436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数；相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性，并且相移膜的膜表面反射率在350nm～436nm的波长区域内为10％以下。
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公开(公告)号：CN104423141A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410407479.0
申请日：2014-08-19
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F7/0035
Abstract: 光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法，提高细微图案的转印性。显示装置制造用光掩模通过如下方式形成，在透明基板上，利用湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化，形成包含遮光部、相位偏移部和透光部的转印用图案，其中，遮光部是依次层叠相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜而成的，相位偏移部是相位偏移膜，或者依次层叠相位偏移膜和蚀刻掩模膜而成的，透光部是使透明基板表面露出而成的，相位偏移膜由含有铬的材料构成，蚀刻掩模膜由对相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成，相位偏移部与透光部具有彼此邻接的部分，而且，相位偏移部与透光部相对于光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
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公开(公告)号：CN108241251B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201711295074.2
申请日：2017-12-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
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公开(公告)号：CN109254496A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810770791.4
申请日：2018-07-13
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 一种光掩模坯料，可得到高精度的掩模图案，且能够抑制显示不均的光学特性，具有：透明基板；遮光膜，从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层，第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为25～75原子％、氧的含有率为15～45原子％、氮的含有率为10～30原子％的组成，遮光层为含有铬和氮的铬系材料，具有铬的含有率为70～95原子％，氮的含有率为5～30原子％的组成，第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料，具有铬的含有率为30～75原子％、氧的含有率为20～50原子％、氮的含有率为5～20原子％的组成，遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10％以下，光学密度为3.0以上。
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公开(公告)号：CN108663896A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810230353.9
申请日：2018-03-20
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坪井诚治
Abstract: 本发明提供一种能够制造相移掩模的相移掩模坯料，所述相移掩模能够精度良好地转印高精细的相移膜图案。本发明的相移膜至少具有下层和上层，所述下层具有调整对于从透明基板侧入射的光的反射率的功能，所述上层配置于下层的上侧，具有调整对于曝光光的透射率和相位差的功能，相移膜的对于曝光光的透射率和相位差具有给定的光学特性，相移膜对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率大于20％，且对于从透明基板侧入射的365nm至436nm波长范围的光的反射率的变动幅度为10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108319104A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810039303.2
申请日：2018-01-16
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坪井诚治
IPC: G03F1/26
CPC classification number: G03F1/26
Abstract: 本发明提供具备透射率波长依赖性优异的新型相移膜的用于制造显示装置的相移掩模坯料。该相移掩模坯料具备：透明基板、和形成在该透明基板上的相移膜，所述相移膜至少具有相移层和金属层，所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成，所述金属层由下述材料形成：由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料，所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率，或者，所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率，所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下的范围的透射率波长依赖性为5.5％以内。
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公开(公告)号：CN106019817A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610173066.X
申请日：2016-03-24
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性，上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。
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公开(公告)号：CN117518704A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311459935.1
申请日：2018-01-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
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公开(公告)号：CN108319103B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810034453.4
申请日：2018-01-15
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26 , G03F1/62 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成显示装置用相移掩模的相移掩模坯料，所述显示装置用相移掩模具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性、且形成了微细的图案而使转印精度变得良好。该相移掩模坯料在透明基板上具备相移膜，相移膜由金属系材料或金属硅化物系材料构成，相移膜具有相移层、配置于该相移层的上侧的减反射层、以及配置于相移层和减反射层之间的中间层，中间层是具有比减反射层的金属含有率更高的金属含有率的金属系材料、或者是具有比减反射层的金属和硅的总含有率更高的总含有率的金属硅化物系材料，相移膜的膜面反射率在350nm～436nm的波长范围为15％以下，相移膜对于从透明基板侧入射的光的背面反射率在365nm～436nm的波长范围为20％以下。
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公开(公告)号：CN108319104B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201810039303.2
申请日：2018-01-16
Applicant: HOYA株式会社
Inventor： 坪井诚治
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供具备透射率波长依赖性优异的新型相移膜的用于制造显示装置的相移掩模坯料。该相移掩模坯料具备：透明基板、和形成在该透明基板上的相移膜，所述相移膜至少具有相移层和金属层，所述相移层由包含金属、硅和选自氮及氧中的至少一种的材料形成，所述金属层由下述材料形成：由金属和硅构成的材料、或者由金属、硅和选自碳、氟、氮、氧中的至少一种构成的材料，所述金属层所含的金属的含有率高于所述相移层所含的金属的含有率，或者，所述金属层所含的金属和硅的总含有率高于所述相移层所含的金属和硅的总含有率，所述相移膜在波长365nm以上且436nm以下的范围的透射率波长依赖性为5.5％以内。
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