公开(公告)号：CN103503120A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021915.X

申请日：2012-04-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·叶 ,  V·恩古耶 ,  石美仪 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/76883

Abstract: 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。

公开(公告)号：CN103295879A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310020701.7

申请日：2013-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  李根泽 ,  高镛璿 ,  金弘镇 ,  裴相元 ,  安时庆 ,  梁凖烈 ,  韩索 ,  金保延 ,  洪命基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。

公开(公告)号：CN101379597B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780004105.2

申请日：2007-01-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  森永均

IPC: H01L21/304 ,  G01B11/06

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其中，为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理，则可以减低表面微粗糙度的增大。这样，可以提高半导体器件的电特性或成品率。

公开(公告)号：CN102446833A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110299091.X

申请日：2011-09-29

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 顾梅梅 ,  侯多源 ,  许隽 ,  王科

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明公开一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法，包括如下步骤：步骤A、在硅片上形成铜的种子层；步骤B、在所述铜的种子层上沉积覆盖一层铜的淀积层；步骤C、对铜的淀积层进行研磨；步骤D、将硅片送入反应腔室中，利用等离子条件下的NH3气体对铜的淀积层的表面进行预处理，以清除在所述铜的淀积层的表面所形成的铜的氧化物；步骤E、在反应腔室中，利用双大马士革氮化硅淀积工艺生成位于所述铜的淀积层上方的一层刻蚀阻挡层；步骤F、用NF3气体清洁反应腔室；步骤G、在反应腔室中通入N2O气体，用等离子条件下的N2O气体除去反应腔室中所残余的氢（H）和氟（F）。达到降低DDN工艺颗粒的效果，在铜制成工艺中有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101972755B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN1863645B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200480029204.2

申请日：2004-07-13

Applicant: 安格斯公司

Inventor： 布赖恩特·伊诺克·本森

IPC: B24D5/10

CPC classification number: B29C44/12 ,  A46B13/008 ,  A46B13/02 ,  A46B2200/3086 ,  B08B1/04 ,  B24D3/32 ,  B24D5/10 ,  B29C37/0078 ,  B29C44/005 ,  B29C44/1209 ,  B29C44/1214 ,  B29K2029/04 ,  H01L21/02074 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明涉及用于制作从基板上去除材料、颗粒或化学物质的刷具或垫子的方法和材料。刷具或垫子包括用于支承多孔垫材料的可旋转基体。基体包括内表面和外表面以及位于基体中的用于将多孔垫材料与基体互锁的多个沟槽。多孔垫材料覆盖基体外表面的至少一部分并且用于从各种基板上去除材料。多孔垫材料填充基体中的一个或多个沟槽并且将多孔垫材料与基体互锁。优选地，沟槽使基体的所述内表面与外表面流体连通并且有助于多孔垫突节的排列和多孔垫内部流体的分布。

公开(公告)号：CN102165573A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138541.8

申请日：2009-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野茂 ,  弗兰克·M·切里奥 ,  石坂忠大

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。

公开(公告)号：CN101134930B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200710147183.X

申请日：2002-03-27

Applicant: 高级技术材料公司

Inventor： 威廉·A·沃伊特恰克 ,  戴维·伯恩哈德 ,  法蒂玛·Ma·塞约 ,  朗·源

IPC: C11D7/32 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C09K13/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31138

Abstract: 半导体晶片清洗剂，含有1-21重量％氟化物源，20-55重量％有机胺，0.5-40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23-50重量％水，以及0-21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。

公开(公告)号：CN101972755A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010232260.3

申请日：2010-07-21

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  刘效岩 ,  刘钠 ,  何彦刚

IPC: B08B3/08

CPC classification number: C11D1/72 ,  B08B3/08 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/33 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

公开(公告)号：CN101416291B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780011696.6

申请日：2007-02-06

Applicant: TEL埃皮恩公司

Inventor： A·J·勒恩 ,  S·R·舍曼 ,  R·M·格夫肯 ,  J·J·豪塔拉

IPC: H01L21/425

CPC classification number: H01L21/76825 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/513 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886

Abstract: 在铜互连布线层上遮盖一层或多层，以用于集成电路的互连结构，以及通过应用气体团簇离子束处理来形成用于集成电路的改进集成互连、结构的方法和装置。铜扩散减小且提高了电迁移寿命，并避免了选择性金属遮盖技术的使用以及该技术所伴随产生的问题。公开了包括用于铜遮盖、清洗、蚀刻以及膜成形步骤的气体团簇离子束处理模块的多种集簇设备配置。