公开(公告)号：CN109690864A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780055004.1

申请日：2017-09-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金载润 ,  任亨奎 ,  李钟贤 ,  韩知成

IPC: H01M10/0567 ,  H01M10/0569 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明可以提供一种电解液添加剂，该电解液添加剂包含来自含有氮原子的化合物的阴离子与Cs+或Rb+的盐。本发明还可以提供一种还包含二氟双草酸磷酸锂的电解液添加剂。本发明提供一种非水性电解液，该非水性电解液包含锂盐、非水性有机溶剂和所述电解液添加剂，并且可以提供一种锂二次电池，包括：包含正极活性材料的正极；包含负极活性材料的负极；插入在所述正极与所述负极之间的隔膜；以及所述非水性电解液。

公开(公告)号：CN107108216A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069353.X

申请日：2015-08-10

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承炫 ,  金锡主

IPC: C01B32/05 ,  C01B32/15 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化碳纳米粒子及其制备方法、包含该氧化碳纳米粒子的有机无机复合体以及所述有机无机复合体的制备方法，所述氧化碳纳米粒子是纳米大小的被氧化的碳的球状粒子，在X射线光电子能谱分析(X‑ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)下，碳氧原子比(C/O atomic ratio)为1至9，进行X射线光电子能谱分析时，从C‑O(OH)键中观察到最大的氧分数。所述氧化碳纳米粒子的物理性质优于诸如石墨或碳黑的传统的碳材料，制备工艺经济且环保。此外，所述氧化碳纳米粒子可用作有机无机复合体的填充物质，当如此应用时，环保，经济，分散性优秀，并且无需进行功能化等后续处理，可直接使用。

公开(公告)号：CN119948202A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380068081.6

申请日：2023-10-06

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑在善 ,  李承铉 ,  延昌峰

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明关于一种活化剂、使用其制造的半导体基板以及半导体器件，本发明的含钛的沉积膜的制造方法通过利用钛类前体化合物以及特定的反应气体，具有通过简单的工序容易地制造高纯度的沉积膜的效果。

公开(公告)号：CN119736611A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411832577.9

申请日：2020-02-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(i)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ii)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo，其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。

公开(公告)号：CN118202084A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280074079.5

申请日：2022-11-18

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  延昌峰 ,  郑在善

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件，具有能够提供无需实施图案化工艺也能够通过原子层沉积法制造出形成有图案的薄膜，并且能够显著地减少杂质的高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法以及由该方法制造的半导体基板及半导体器件的效果。

公开(公告)号：CN117295846A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280032422.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金种文 ,  郑在善 ,  陈齐俊 ,  延昌峰

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。

公开(公告)号：CN116710531A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180053272.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李正浩 ,  金锡主

IPC: C09K3/14

Abstract: 提供一种化学机械研磨用氧化铈粒子、包含其的化学机械研磨用浆料组合物。所述氧化铈粒子的表面包含Ce3+和Ce4+，当使用本发明的实施例的氧化铈粒子时，通过增加氧化铈表面的Ce3+的比例，尽管粒径微小，但是能够在低含量范围内表现出较高的氧化膜去除速度和氧化膜研磨选择比。

公开(公告)号：CN114599658A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074133.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  李锡宗

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。

公开(公告)号：CN111727187B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201980002935.4

申请日：2019-05-30

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 郑光柱 ,  金星秀 ,  刘贤英 ,  河宗陈 ,  李锡宗 ,  李春永

IPC: C07D403/10 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供化合物以及包含该化合物的有机发光器件，其具有电化学稳定性以及热稳定性，因而寿命特性优秀，并在低驱动电压下，也具有高发光效率。

公开(公告)号：CN112813416A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011015851.5

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  B29D7/01 ,  C23C16/30

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXoA为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烃基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。