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公开(公告)号：CN102531591A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110350166.2
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/30
Abstract: 本发明公开了具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法。该介电组合物包括：作为主要组分的由通式(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3(0.995≤m≤1.010，0.001≤x≤0.10，0.001≤y≤0.20)表示的化合物；作为第一次要组分的铝氧化物；作为第二次要组分的选自由Mg、Sr、Ba、Ca、和Zr组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第三次要组分的选自由Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第四次要组分的选自由Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、和Ni组成的组中的至少一种金属及其盐；以及选自含有Si的玻璃形成化合物的第五次要组分。该介电组合物满足在EIA规范中定义的Y5V或X5R特性。
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公开(公告)号：CN1832070A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610001516.3
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G2/06 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L2924/0002 , H05K1/0231 , H05K1/185 , H05K2201/10643 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种嵌入式多层片形电容器，以及具有该嵌入式多层片形电容器的印刷电路板。嵌入式多层片形电容器包括：电容器器身，具有一个堆叠在另一个上的多个介电层；多个第一和第二内部电极，形成在电容器器身内部，由介电层隔离；以及第一和第二过孔，在电容器器身内部垂直地延伸。第一过孔连接至第一内部电极，并且第二过孔连接至第二内部电极。第一过孔通向电容器器身的底部，并且第二过孔通向电容器器身的顶部。
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公开(公告)号：CN119852096A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411443253.6
申请日：2024-10-16
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件可包括：主体，包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极中的每个可包括多个电极部和断开部，并且所述断开部可包括电介质和孔隙中的至少一者。当所述孔隙的长度与所述断开部的长度的比值被称为断开部的孔隙率时，在所述主体的在所述第一方向和所述第三方向上的截面中，在所述内电极的在所述第三方向上的中央部分中测量的所述断开部的孔隙率被定义为Dc，并且在所述内电极的在所述第三方向上的端部中测量的所述断开部的孔隙率被定义为Dm，Dm/Dc小于0.79。
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公开(公告)号：CN118824735A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410419059.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层交替地设置；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括包含钙、锶、锆和钛的主成分以及包含锰、钇和硅的副成分，其中，所述介电层包括多个介电晶粒和晶界，所述晶界设置在相邻的介电晶粒之间，并且所述多个介电晶粒的至少一部分具有核‑壳结构，并且其中，在所述核‑壳结构中，当相对于包括在所述核‑壳结构中的核和壳中的100摩尔锆，包括在所述核中的钇的含量定义为Yc，并且相对于包括在所述核和所述壳中的100摩尔锆，包括在所述壳中的钇的含量定义为Ys时，满足Ys/Yc＞9。
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公开(公告)号：CN113161146A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010667763.7
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法，所述陶瓷电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内部电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个具有核‑双壳结构，所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳，并且包括在所述第二壳中的稀土元素的浓度是包括在所述第一壳中的稀土元素的浓度的大于1.3倍且小于3.8倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107082636A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710022461.2
申请日：2013-06-04
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/6265 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/3817 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/79 , H01G4/30 , H01G4/1218
Abstract: 本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及含有该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器，该组合物含有：基材粉末BamTiO3(0.995≤m≤0.998)；以100mol所述基材粉末为基准，0.2‑2.0mol的第一附加成分，该第一附加成分含有氧化Ba或碳化Ba，和氧化Ca或碳化Ca，不含有Mg或MgO；含硅的氧化物或含硅的玻璃复合物的第二附加成分；0.2‑1.5mol的含Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种的氧化物的第三附加成分；0.05‑0.80mol的为含Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种的氧化物的第四附加成分；第一附加成分和第二附加成分的含量比为0.5‑1.7。根据本发明的所述介电陶瓷组合物具有高介电常数和优良的高温可靠性。
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公开(公告)号：CN103102153B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210399269.2
申请日：2012-10-19
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12
CPC classification number: H01C17/06533 , C04B35/4682 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01C7/003 , H01C7/025 , H01C7/045 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供了一种电介质组合物，该电介质组合物包括：含有BamTiO3（0.995≤m≤1.010）的基础粉末；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.05-4.00摩尔的至少含有一种稀土元素的氧化物或碳酸盐的第一副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.05-0.70摩尔的至少含有一种过渡金属的氧化物或碳酸盐的第二副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.20-2.00摩尔的Si氧化物的第三副组分；以100摩尔的基础粉末为基准，含有0.20-1.00摩尔的Al氧化物的第四副组分；以及以第三副组分为基准，含有20-140%的至少含有Ba和Ca中的一种的氧化物的第五副组分。含有本发明电介质组合物的介电层与现有技术公知的介电层具有相同的电容，却没有降低该介电层的厚度，从而确保了该介电层的可靠性。
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公开(公告)号：CN103964840A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310173187.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/1245
Abstract: 本发明提供了一种介电组合物以及应用该介电组合物的多层陶瓷电子元件，所述介电组合物含有介电粒子，该介电粒子具有以ABO3表示的钙钛矿结构，其中所述介电粒子含有基材和过渡元素TR，所述基材中至少一种稀土元素RE被固体溶解在A和B中的至少一种中，并且所述过渡元素与所述稀土元素的比率（TR/RE）为0.2-0.8。使用该介电组合物的多层陶瓷电容器可以有优良的可靠性和安全性高的介电常数。
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公开(公告)号：CN103708823A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310013131.9
申请日：2013-01-14
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/465 , C04B35/48 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1245
Abstract: 本发明提供了一种介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件，所述介电组合物包括：具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，一部分所述介电颗粒具有芯-壳结构，其中芯的平均长度等于或小于250nm且芯的平均长度与介电颗粒的平均长度的比低于0.8的介电颗粒占具有芯-壳结构的那部分介电颗粒的50%或更多，使得使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子器件可具有出色的可靠性并保证高介电常数。
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公开(公告)号：CN1832070B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610001516.3
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G2/06 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01L2924/0002 , H05K1/0231 , H05K1/185 , H05K2201/10643 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种嵌入式多层片形电容器，以及具有该嵌入式多层片形电容器的印刷电路板。嵌入式多层片形电容器包括：电容器器身，具有一个堆叠在另一个上的多个介电层；多个第一和第二内部电极，形成在电容器器身内部，由介电层隔离；以及第一和第二过孔，在电容器器身内部垂直地延伸。第一过孔连接至第一内部电极，并且第二过孔连接至第二内部电极。第一过孔通向电容器器身的底部，并且第二过孔通向电容器器身的顶部。
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