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公开(公告)号：CN111739973A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010625054.2
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非制冷双色红外薄膜型探测器及制备方法，所述探测器采用中波和长波的双探测元模式，由布拉格反射镜膜系，锰钴镍氧敏感元薄膜，氧化铝衬底组成。通过精确控制布拉格反射镜膜系结构，探测器可以有效同步采集目标在3-5微米和8-14微米两个大气窗口下的红外光谱强度，并能对两波段的光谱进行对比，利用光谱特性的差异，比较容易的区分目标、背景、红外诱饵，达到提取真实目标的效果、提升红外探测识别能力，降低虚警率的目的。本发明突破了非制冷、可宽温区工作(-40—+60℃)、可片上集成的双色红外探测等关键技术，未来可应用于目标探测识别、热成像、导航辅助和夜视等领域。
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公开(公告)号：CN110160659A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910414292.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种敏感元刻蚀型的非制冷红外窄带探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，金属反射层，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，锗单晶半球透镜，以及器件管座组成。通过精确控制刻蚀敏感元的结构参数，形成特定图案的锰钴镍氧介质超表面结构层，可以实现器件对特定波长的光达到完美吸收的效果；同时反射非特定波长的光，提升器件窄带探测的能力。本发明结构中，由于未引入等离子激元型的金属人工微结构，避免了能量在金属结构中的大量损失，从而保证了器件中敏感元部分吸收达到80％以上，光谱曲线的品质因子(Q值)可以达到15左右，对改善非制冷红外窄带探测器的响应率和目标识别精确度方面都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110160658A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910411805.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀增强型的非制冷红外薄膜探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锰钴镍氧敏感元，锰钴镍氧介质超表面结构层，补偿元，以及器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型非制冷红外薄膜探测器，在传统锰钴镍氧薄膜型探测器的基础上，通过设计和刻蚀敏感元部分，形成特定周期、占空比和深度的锰钴镍氧介质超表面结构层，达到了增强耦合光的能力，促进了锰钴镍氧薄膜材料在红外波段的宽带吸收，进而增强了器件对红外辐射的宽波段探测能力，在响应率和探测率等方面可以有进一步的提高。本发明设计的器件制备工艺简单，与现有的硅集成工艺相兼容，可以在焦平面探测器中大规模应用。
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公开(公告)号：CN107068783B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201611055724.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法，该探测器由高阻硅镜中心下方粘接的锑化铟探测器和背面镀金介质层，衬底两侧粘接的转接金属片，以及器件管座组成。制作方法包括：在氧化铝衬底上粘接单面抛光锑化铟材料，减薄得锑化铟薄层；使用CVD法在薄层表面生长SiOx钝化膜；通过刻蚀工艺制作敏感元，光刻镀金制作耦合天线，使用环氧胶将器件粘接到硅镜中心；在器件上设置背面镀金介质层，增强敏感元处电场强度；使用导电硅脂实现转接金属片和器件管脚的电学连接，使用树脂片实现管座对硅镜和器件的机械支撑。根据所述方法制作的太赫兹探测器结构紧凑，响应范围可覆盖0.04‑2.5THz，可在室温及适当制冷条件下实现对太赫兹波的高灵敏探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784029A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038485.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/08 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/02016 , G01J1/42 , G01J2001/4295 , H01L31/02327 , H01L31/08
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹线列探测装置。该探测装置由八元线列式探测器件、组合聚焦装置、可控温杜瓦单元、前置放大器及读出电路等四部分组成。该线列太赫兹探测装置通过八元铜光锥和聚四氟乙烯透镜组成的聚焦装置会聚入射的太赫兹波；通过平面耦合型碲镉汞探测器件接收太赫兹波并将其转换为电信号，并由前置放大器及读出电路放大并读出；可控温杜瓦单元用于提供合适的工作温度。该种线列探测器件响应范围可覆盖0.03‑4THz，可在近室温及液氮(77‑250K)条件下实现高灵敏度线列扫描式太赫兹探测。
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公开(公告)号：CN106707288A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710037294.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技术，结合太赫兹透镜组准平行发射‑回波聚焦技术，实现远距离目标的太赫兹反射/散射信号主动探测。本发明具有覆盖波段宽，频段兼容性好，结构简单，系统信噪比高，探测距离远，室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN106125176A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610538871.8
申请日：2016-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: G02B5/1861 , G02F1/0102
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹一维立体相位光栅，所述的相位光栅是一种栅距可变、槽深顺次变化，适用于太赫兹波段的一维立体、反射式相位光栅。该发明基于电磁波的衍射理论，通过控制上、下平面的高度，引入附加光程，对反射太赫兹波进行相位调制，使反射太赫兹波前的不同区域具有不同的相位信息，适用于太赫兹光谱成像、分析等相关领域。
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公开(公告)号：CN102592983B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210026626.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。
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公开(公告)号：CN102680112A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142451.X
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种以PCB电路制作的单元热敏器件读出电路，所述电路包括偏置电路，积分放大电路，相关双采样电路。偏置电路为单元热敏器件提供稳定的偏置电压，并将辐射信号转化为电流信号，该电流信号流经积分放大器转化为电压信号，然后被相关双采样电路采集。在信号输出端，相关双采样电路将辐射信号扣除电路噪声后输出。与集成电路上制作的读出电路相比，该PCB电路设计灵活，制作周期短，成本低廉，在对系统体积要求不大的情况下可以代替集成读出电路，作为探测器与红外成像系统的接口电路。同时该电路还可以作为测试电路和前置放大电路，实测单元器件的性能，在新型热敏器件的探索中有潜在应用价值。
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