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公开(公告)号：CN102592983B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210026626.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。
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公开(公告)号：CN102680112A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142451.X
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种以PCB电路制作的单元热敏器件读出电路，所述电路包括偏置电路，积分放大电路，相关双采样电路。偏置电路为单元热敏器件提供稳定的偏置电压，并将辐射信号转化为电流信号，该电流信号流经积分放大器转化为电压信号，然后被相关双采样电路采集。在信号输出端，相关双采样电路将辐射信号扣除电路噪声后输出。与集成电路上制作的读出电路相比，该PCB电路设计灵活，制作周期短，成本低廉，在对系统体积要求不大的情况下可以代替集成读出电路，作为探测器与红外成像系统的接口电路。同时该电路还可以作为测试电路和前置放大电路，实测单元器件的性能，在新型热敏器件的探索中有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102650037A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210141224.5
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/36 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O薄膜材料磁控溅射靶材制作方法，主要包括以下步骤：(1)称量锰、钴、镍的醋酸盐粉末。(2)使用醋酸的水溶液将粉体溶解，制备出前驱体溶液。(3)对前驱体溶液进行负压抽滤，滤除其中的少量杂质沉淀。将溶液使装入蒸发皿中，烘干，获得干燥的醋酸盐凝块。(4)将醋酸盐凝块捣碎，使用高温烘箱进行烘烧-研磨-烘烧-球磨过程，得到粒径较小、没有残余有机物的锰氧化物粉末。(5)取适量锰氧化物粉末。加入聚乙烯醇溶液，造粒。放入模具中，压制素胚。(6)分段脱胶，除去素胚中的聚乙烯醇。(7)高温烧结。切割，打磨，抛光，得到所需溅射靶材。
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公开(公告)号：CN102680112B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210142451.X
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种以PCB电路制作的单元热敏器件读出电路，所述电路包括偏置电路，积分放大电路，相关双采样电路。偏置电路为单元热敏器件提供稳定的偏置电压，并将辐射信号转化为电流信号，该电流信号流经积分放大器转化为电压信号，然后被相关双采样电路采集。在信号输出端，相关双采样电路将辐射信号扣除电路噪声后输出。与集成电路上制作的读出电路相比，该PCB电路设计灵活，制作周期短，成本低廉，在对系统体积要求不大的情况下可以代替集成读出电路，作为探测器与红外成像系统的接口电路。同时该电路还可以作为测试电路和前置放大电路，实测单元器件的性能，在新型热敏器件的探索中有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102775133A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210211407.X
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种快速制取锰钴镍氧多晶厚膜的方法。本发明改进匀胶以及低温热处理的过程，给出一种制膜速率较高的锰钴镍氧热敏薄膜的制备工艺方法。本法涉及到平均每个周期制备的薄膜厚度约为15-17nm，略低于逐层高温退火条件下的20nm，但由于大大节约了高温热处理的时间，该方法仍将大大缩短锰钴镍热敏薄膜制备的总时间，在保证结晶性和致密度的前提下提高成膜质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102592983A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210026626.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。
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公开(公告)号：CN102544221A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210019094.8
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102544221B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019094.8
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102732848B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210211532.0
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。
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公开(公告)号：CN102931923A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405471.1
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提出一种自热消除低噪声前置放大器，可用于热敏红外探测器件信号检测电路或特性参数测试电路。该电路使用一组热敏电阻同探测器件组成桥式电路，两个热敏电阻通过精密电位器相连接，电位器滑动端接至运放同向输入端。运放反相端接红外探测器件探测元与盲元的公共端，桥式电路与后端的低噪声运放连接，低噪声运放使用T型网络作为反馈回路。本发明具有以下优点：使用热敏探测器的桥式电路实现自热消除，同时精密电位器的引入可以消除探测元与盲元不匹配引起的电压偏移；运放使用T型网络代替反馈电阻组成反馈回路，减小了电路噪声；电路结构简化，便于电路系统的小型化和较大规模多元器件的集成。
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