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公开(公告)号：CN109417090B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201780041600.4
申请日：2017-06-29
IPC: H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 在p型连接层(30)的前端连结p型扩张区域(40)。通过形成这样的p型扩张区域(40)，能够消除在p型连接层(30)与p型保护环(21)之间间隔变大的区域。因此，在台面部中，能够抑制等电位线过度隆起，能够确保耐压。
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公开(公告)号：CN107112360B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN107004715A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066372.7
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L29/06 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/12 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20)，并覆盖角部件(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057912A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610211107.X
申请日：2016-04-06
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/6609
Abstract: 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。
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公开(公告)号：CN106024886A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610169667.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二接触区(142)在远离栅极沟槽(30)的范围内，与源极区(11)和第一接触区(141)邻接形成。第一接触区(141)的杂质浓度与第二接触区(142)的杂质浓度相比较低。
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公开(公告)号：CN102760768A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210128717.5
申请日：2012-04-27
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/045 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397
Abstract: 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。
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公开(公告)号：CN102386100A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110259637.9
申请日：2011-08-30
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。
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公开(公告)号：CN102339863A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110206210.2
申请日：2011-07-15
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7828
Abstract: 一种SiC半导体装置，包括：反转型MOSFET，所述MOSFET包括：基底(1)；基底上的漂移层(2)和基极区(3)；基极区上的基极接触层(5)和源极区(4)；多个沟槽(6)，具有在第一方向上的纵向方向，沟槽(6)穿透所述源极区和所述基极区；经由栅极绝缘膜(8)处于每个沟槽中的栅极电极(9)；中间层绝缘膜(12)，覆盖所述栅极电极并具有接触孔(12a)，所述源极区和所述基极接触层通过所述接触孔(12a)得到暴露；源极电极(11)，通过所述接触孔与所述源极区和所述基极区电耦合；以及所述基底上的漏极电极(13)。源极区和基极接触层沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并且沿第一方向交替布置。接触孔具有在所述第一方向上的纵向方向。
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