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公开(公告)号：CN107532328A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027058.2
申请日：2016-03-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
Abstract: 本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN105463571A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510615809.X
申请日：2015-09-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供了与以往相比可抑制夹杂物的产生以生长更均匀的晶体的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴12的晶种基板14与容纳于坩埚内的具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液24接触以使SiC单晶晶体生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，在坩埚的侧面部的周围配置有高频线圈22，坩埚具有包括中坩埚101和以包围中坩埚101的方式配置的一个以上的外坩埚102的多层结构，该制造方法包括如下工序：在使SiC单晶生长时，以对Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心部的垂直方向的相对位置变化进行控制的方式，仅使中坩埚101沿垂直方向向上移动。
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公开(公告)号：CN102449208B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980159593.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种采用熔液法的SiC单晶的制造方法，该方法防止起因于使晶种接触熔液的晶种接触的缺陷的产生，生长降低了缺陷密度的SiC单晶。本发明的方法，通过在石墨坩埚内使SiC晶种接触含有Si的熔液从而在该SiC晶种上生长SiC单晶，该方法的特征在于，在使所述SiC晶种接触后，使所述熔液暂且升温到比该接触时的温度高、且比进行所述生长的温度高的温度。
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公开(公告)号：CN103608497A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201180071725.4
申请日：2011-08-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B11/14 , C30B9/06 , C30B29/36 , Y10T428/24488
Abstract: 提供结晶性高的大口径的SiC单晶。一种SiC单晶，其包含：具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面为基点，在c面方向以及非c面方向生长了的c面生长部以及口径扩大部，在与所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口径扩大部的平面内，在所述平面内的周边部存在不含贯穿位错的连续区域，所述连续区域的面积相对于所述平面整体的面积占有50%以上的面积。
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公开(公告)号：CN103534792A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280023671.9
申请日：2012-05-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103210127A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054125.7
申请日：2011-11-04
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/36 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。
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公开(公告)号：CN113539834A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110376723.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/38 , H01L21/40 , H01L21/426 , H01L21/477
Abstract: 本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。
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公开(公告)号：CN107532329B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201680027101.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN109786462A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811332301.9
申请日：2018-11-09
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种抑制了体区中的面缺陷的成长的开关元件及其制造方法。该开关元件具有：SiC基板，其具有偏角；沟槽，其在对SiC基板的上表面进行俯视时沿着偏离方向而延伸；栅极绝缘膜以及栅极电极。SiC基板具有：n型的源极区；p型的接触区；p型的体区，其在源极区的下侧处与栅极绝缘膜相接，并且与接触区相比p型杂质浓度较低；n型的漂移区，其在体区的下侧处与栅极绝缘膜相接；多个低寿命区，其被配置在源极区和接触区中的至少一方与漂移区之间，并且与其周围的体区相比点缺陷密度较高。多个低寿命区以沿着偏离方向隔开间隔的方式被配置。在所述间隔中配置有体区的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105568362B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510718196.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。本发明提供了一种不形成缓冲层且穿透位错密度小的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使用具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液，使SiC单晶自SiC晶种基板生长的SiC单晶的制造方法，其包括：所述Si‑C溶液包含Si和Cr，将所述晶种基板中的硼密度Bs与所述生长的SiC单晶中的硼密度Bg的硼密度差Bs‑Bg设为1×1017个/cm3以上，将所述晶种基板中的铬密度Crs与所述生长的SiC单晶中的铬密度Crg的铬密度差Crg‑Crs设为1×1016个/cm3以上，并且将所述晶种基板的氮密度Ns与所述生长的SiC单晶的氮密度Ng的氮密度差Ng‑Ns设为3.5×1018个/cm3～5.8×1018个/cm3。
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