-
公开(公告)号：CN107001146B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680003741.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
-
公开(公告)号：CN110312691A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780086594.4
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法，所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相在X射线衍射中在2θ大于34.74°且小于34.97°的位置处具有第一衍射峰，其中所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
-
公开(公告)号：CN110300738A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201780086578.5
申请日：2017-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种氧化物烧结材料、制造所述氧化物烧结材料的方法以及制造包含使用所述氧化物烧结材料形成的氧化物半导体膜14的半导体器件10的方法。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn并且包含：第一晶相，所述第一晶相包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相具有比所述第一晶相中的Zn含量更高的Zn含量，其中所述第二晶相包含具有3μm～50μm的平均长轴尺寸并具有1.5～50的平均长径比的粒子，所述氧化物烧结材料具有大于6.4g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，相对于In、W和Zn的总量的W的含量为大于0.01原子％且小于等于5.0原子％，Zn的含量为大于等于1.2原子％且小于50原子％，并且Zn对W的原子比为大于1.0且小于20000。
-
公开(公告)号：CN110062961A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076451.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极；设置在栅电极的正下方或正上方的区域中的沟道层；设置为与沟道层接触的源电极和漏电极；以及设置在栅电极和沟道层之间的第一绝缘层，沟道层包括第一氧化物半导体，源电极和/或漏电极包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含In、W和Zn，W对In、W和Zn的总量的含量比高于0.001原子％并且不高于8.0原子％，Zn对In、W和Zn的总量的含量比高于1.2原子％并且不高于40原子％以及Zn与W的原子比率高于1.0并且低于20000。还提供一种制造该半导体器件的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105899472B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
-
公开(公告)号：CN106796888A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201680002307.2
申请日：2016-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/44 , C23C16/56 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：栅电极(2)；设置在栅电极(2)的正下方或正上方的区域中的沟道层(7)；设置为与沟道层(7)接触的源电极(5)和漏电极(6)；以及设置在栅电极(2)和沟道层(7)之间的第一绝缘层(3)，沟道层(7)包括第一氧化物半导体，源电极和漏电极中至少一个包括第二氧化物半导体，且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。还提供一种制造该半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN106164016A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580019472.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分并具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。本发明还提供一种包含该氧化物烧结体的溅射靶、以及半导体器件(10)。
-
公开(公告)号：CN105745183A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201580002686.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
-
公开(公告)号：CN100528456C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200680006147.5
申请日：2006-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23K26/40
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K2103/42 , B23K2103/50
Abstract: 为了易于控制激光脉冲宽度和进行高精度加工，依照本发明的通过激光烧蚀加工材料的方法的特征为：当采用沿水平轴以皮秒描绘的激光脉冲宽度和沿垂直轴以J/cm2描绘的烧蚀阈值的双对数图表示激光脉冲宽度与烧蚀阈值之间的关系时，具有双对数图显示出斜度不大于0.5的直线形状的线的区域的材料通过具有在该区域内的激光脉冲宽度的脉冲激光束来加工。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.041 seconds)
