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公开(公告)号：CN102040700A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010505496.X
申请日：2010-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F8/12 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
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公开(公告)号：CN100578358C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200410098151.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/0397 , Y10S430/111
Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，(见右式)R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外-烷基基团，由式(X-1)-(X-4)的任一个表示：(见右式)其中R7是C1-C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。
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公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
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公开(公告)号：CN117590692A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311035093.7
申请日：2023-08-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成用组成物、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题为提供密合膜形成用组成物、使用该组成物的图案形成方法、及密合膜的形成方法，该密合膜形成用组成物提供于半导体装置制造步骤中微细图案化处理中，得到良好的图案形状，同时具有与抗蚀剂上层膜高的密合性且抑制微细图案的崩塌的密合膜。解决该课题的手段为一种密合膜形成用组成物，其用于形成抗蚀剂上层膜的正下的密合膜，其特征在于包含：(A)含有下列通式(1)表示的重复单元、及下列通式(2)表示的重复单元的高分子化合物，以及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN116425606A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211484699.4
申请日：2022-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种制备3,7‑二甲基烷烃化合物(3)的方法：其中n是5或6，所述方法包括：使亲核试剂2,6‑二甲基辛基化合物(1)：其中M1表示Li、MgZ1、CuZ1或CuLiZ1，其中Z1表示卤素原子或2,6‑二甲基辛基基团，与亲电烷基试剂(2)：其中X1表示卤素原子或对甲苯磺酸酯基团，且“n”如上所定义，进行偶联反应，以形成3,7‑二甲基烷烃化合物(3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115448836A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210634249.2
申请日：2022-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C67/00 , C07C67/333 , C07C69/608 , C07C41/50 , C07C43/313 , C07D303/40 , C07D301/14 , C07C67/313 , C07C69/716 , C07C67/343 , C07C45/41 , C07C45/29 , C07C47/225 , C07C29/147 , C07C33/12
Abstract: 本发明提供制备(1,2‑二甲基‑3‑亚甲基环戊基)乙酸酯化合物(3)的方法，其中R表示具有1至4个碳原子的直链或支链烷基，包括使卤代乙醛烷基2,3‑二甲基‑2‑环戊烯基缩醛化合物(1)，其中R如上定义，Y表示卤素原子，在碱的存在下进行脱氢卤化反应，随后重排反应以获得(1,2‑二甲基‑2‑环戊烯基)乙酸酯化合物(2)，其中R如上所定义，并使化合物(2)进行环氧化反应，随后异构化反应，然后再进行亚甲基化反应以获得化合物(3)；还提供制备(1,2‑二甲基‑3‑亚甲基环戊基)乙醛(4)的方法，包括前述制备化合物(3)的方法，和将化合物(3)转化以获得(1,2‑二甲基‑3‑亚甲基环戊基)乙醛(4)。
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公开(公告)号：CN110615732A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN107589633A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710546915.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/027 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1] 式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN102520581B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110442517.2
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN1607461A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410098151.1
申请日：2004-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08F220/18 , C08F220/26 , G03F7/0397 , Y10S430/111
Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外－烷基基团，由式(X－1)－(X－4)的任一个表示，其中R7是C1－C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。
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