公开(公告)号：CN116879242A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310650506.6

申请日：2023-06-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  刘峻峰 ,  刘世炳 ,  宋海英 ,  李亚超 ,  谢奇源 ,  汪鹏

IPC: G01N21/64 ,  G01N21/01 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明提供了一种全波段可调偏振的非线性光学特性原位检测装置，飞秒激光器产生飞秒激光脉冲，经过光学参量放大器后经过第一可变光阑，中性密度滤光片，可变衰减片，被第一分束镜分为参考光路和信号光路。参考光路中，光束经过第二分束镜，反射光经过第一聚焦透镜进入第一光谱仪，透射光经过第二聚焦透镜进入第一功率计；信号光路中，光束经过第三聚焦透镜入射至样品上，经第二可变光阑和第三分束镜，反射光经过第四聚焦透镜进入第二光谱仪，透射光经过第五聚焦透镜进入第二功率计。实现原位的可调偏振的飞秒Z扫描测试、二次谐波测试、荧光发射光谱和荧光激发光谱的一体化测试，极大程度上降低样品测量位置变化带来的误差，同时节约时间和成本。

公开(公告)号：CN108627267A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810441492.6

申请日：2018-05-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  李善霖 ,  田楠 ,  梁允田 ,  张永哲

IPC: G01K7/18

Abstract: 一种基于银纳米线网络的温度传感器属于传感器领域。采用现有的多元醇法制备银纳米线，并配置成银纳米线乙醇溶液。采用旋涂法在绝缘衬底上制备银纳米线网络，通过改变银纳米线溶液浓度和用量来控制网络的电阻。绝缘衬底可防止衬底对银纳米线网络电阻的影响。最后用聚合物薄膜覆盖银纳米线网络，对银纳米线进行保护并使其电阻不再受湿度影响，与温度呈线性关系，从而达到测量温度的目的。本发明中提出的温度传感器中，当环境温度改变时，银纳米线的搭接发生改变，导致接触电阻变化，于是可以将环境温度信号转换为电信号。本发明成本低，制作工艺简单，易于产业化，适用于面式测温，有极高的市场价值和产业化潜力。

公开(公告)号：CN102618741A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210096445.5

申请日：2012-04-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 岳明 ,  徐航 ,  徐明锋 ,  赵金良 ,  金头男 ,  刘卫强 ,  张东涛 ,  刘丹敏 ,  张久兴

IPC: C22C1/05 ,  B22F3/105

Abstract: 一种锰铁磷硅磁致冷合金的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。首先将原材料锰、铁、磷、硅粉末按照名义成分Mn2-xFexP1-ySiy混合，0.8≤x≤1.0，0.4≤y≤0.6，然后进行高能球磨，在真空的条件下进行放电等离子烧结，获得锰铁磷硅合金块体；最后将得到的锰铁磷硅合金块体在氩气保护的条件下进行热处理，得到优良磁热性能的锰铁磷硅磁制冷合金。本发明可通过调整锰铁比例和磷硅比例在-50℃-50℃的调整其居里温度；所得锰铁磷硅合金在2特斯拉磁场下均具有较大的磁熵变，十分有利于合金在室温区磁制冷技术中使用。

公开(公告)号：CN101508572B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200910080721.7

申请日：2009-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  张皓琨 ,  刘丹敏 ,  包黎红 ,  马汝广

IPC: C01B35/04 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。

公开(公告)号：CN101575211A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910086811.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  包黎红 ,  刘丹敏 ,  马汝广

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 一种(SmxBa1－x)B6多晶块体阴极及其制备方法属于稀土硼化物材料技术领域。本发明所提供的阴极材料的化学组成为(SmxBa1－x)B6，0.2≤x≤1。本发明首先采用直流电弧蒸发法分别制备SmH2和BaH2纳米粉末，再与原料B粉末按配比混均，采用放电等离子反应液相烧结，压力为40～70MPa，升温速率为90～150℃/min，烧结温度为1300～1500℃，保温5～15min，制得单相、致密的(SmxBa1－x)B6。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单。

公开(公告)号：CN101434395A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810239386.6

申请日：2008-12-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  包黎红 ,  刘丹敏

IPC: C01B35/04

Abstract: 一种多元稀土硼化物(CexBa1－x)B6多晶块体材料及其制备方法属于稀土硼化物材料技术领域。多元稀土硼化物具有很高的研究及应用价值，但目前的研究很少，且制备工艺复杂。本发明材料的组成为(CexBa1－x)B6，0.2≤x≤0.8。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得CeH2和BaH2纳米粉末后，与原料B粉末在保护气氛中混合，采用放电等离子烧结技术，在压力30～60MPa，升温速率120～160℃/min，烧结温度1400～1600℃，保温5～15min条件下，制备多元稀土硼化物 (CexBa1－x)B6块体材料。本发明所提供的方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的(CexBa1－x)B6高纯、致密。

公开(公告)号：CN101372340A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810225029.4

申请日：2008-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  刘丹敏

IPC: C01B35/04

Abstract: 一种多元稀土硼化物(LaxRE1－x)B6阴极材料及其制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物的研究存在成分体系少，工艺复杂等问题。本发明阴极材料的组成为(LaxRE1－x)B6，RE选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu或Gd中的一种，0.2≤x≤0.8。本发明采用直流电弧蒸发法制得LaH2和REH2纳米粉末后，与原料B粉末在低氧环境下混合，采用SPS烧结：压力30～50MPa，升温速率100～200℃/min，烧结温度1300～1700℃，保温5～15min，制得(LaxRE1－x)B6。本发明方法烧结温度低、工艺简单，且制备的阴极材料高纯、高致密，具有优异力学和发射性能。

公开(公告)号：CN101372339A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810225028.X

申请日：2008-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  周身林 ,  刘丹敏

IPC: C01B35/04

Abstract: 一种高纯高致密度多晶CeB6阴极材料的制备方法属于稀土硼化物阴极材料技术领域。现有CeB6的制备工艺复杂，且制备的样品纯度低，致密性差。本发明通过采用直流电弧蒸发冷凝法制备氢化铈纳米粉末，再将氢化铈纳米粉末与硼粉末在低氧环境中研磨混合后，采用放电等离子烧结技术在真空或高纯氩气气氛中烧结，得到多晶CeB6阴极材料。本发明方法工艺简单、烧结温度低，且制备的阴极材料纯度高，致密性好，化学纯度高及发射性能优异。

公开(公告)号：CN100395076C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510105684.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  刘敏 ,  赵跃 ,  胡延槽 ,  周美玲

IPC: B23P23/04 ,  C23C18/02 ,  C23C18/04 ,  C23C18/12 ,  B22D37/00 ,  B21B1/22 ,  B21B15/00

Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9%～99.99%；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10-3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20%，总变形量为92%～97%；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7-δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。

公开(公告)号：CN100360402C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610012297.9

申请日：2006-06-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  曾宏 ,  周身林 ,  刘丹敏 ,  岳明 ,  左铁镛

IPC: C01B35/04

Abstract: 一种原位合成高纯纳米晶LaB6块体材料的制备方法，属于热电子发射阴极材料的制备技术领域。现有技术制备出来的LaB6材料发射性能差，晶粒粗大，抗弯强度低。本发明方法中，利用氢电弧等离子蒸发设备，以金属镧作为阳极，金属钨作为阴极，在氢气和氩气的混合气氛下，将原料金属镧块制备成颗粒尺寸在20-100纳米之间氢化镧纳米粉末；将该氢化镧纳米粉末放入氩气保护的预处理室，与纳米级的硼粉按La元素和B元素的摩尔比为1∶6配置，研磨均匀后装入石墨模具；将装好粉末的石墨模具放入放电等离子烧结设备中进行烧结。本发明制备的LaB6块体材料纯度高，平均晶粒度为150nm左右，最大抗弯强度达到249.59MPa，是一种快速原位制备高纯度高性能LaB6块体材料的方法。