公开(公告)号：CN103208482A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210283217.9

申请日：2012-08-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  萧景文

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7687 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种独立的通孔组件(TAV)模块，所述模块包括衬底，以及从所述衬底的表面延伸进入所述衬底的导电通孔。所述TAV模块没有与所述导电通孔的每一个的一端都接触的导电部件。本发明还公开了通孔组件模块及其形成方法。

公开(公告)号：CN102148203B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110035254.3

申请日：2011-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  郭正铮

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片以及一种形成导体柱的方法。该半导体芯片包含一钝化层，该钝化层具有位于基板上的一金属接触开口。一接合焊垫，具有位于金属接触开口内的一第一部分以及一位于钝化层上方的一第二部分。接合焊垫的第二部分具有一第一宽度。接合焊垫上有一缓冲层，其具有一第二宽度的一柱体接触开口以暴露接合焊垫的一部分。一导体柱，具有位于柱体接触开口内的一第一部分以及位于缓冲层上方的一第二部分。导体柱的第二部分具有一第三宽度。第二宽度与第一宽度的比在约0.35至0.65之间。第二宽度与第三宽度的比在约0.35至0.65之间。

公开(公告)号：CN101771020B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910146989.6

申请日：2009-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭正铮 ,  陈志华 ,  陈明发 ,  陈承先

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有一个或多个穿透硅通孔(TSV)的半导体器件。该TSV被形成以使得该TSV的侧壁具有圆齿状表面。在一个实施例中，该TSV的侧壁是倾斜的，其中该TSV的顶部和底部具有不同的尺寸。该TSV可以具有V形形状，其中该TSV在该衬底的电路侧上具有较宽的尺寸；或具有倒V形形状，其中该TSV在该衬底的背面上具有较宽的尺寸。该侧壁和/或倾斜侧壁的圆齿状表面允许该TSV能被更容易地填充诸如铜的导电材料。

公开(公告)号：CN102208409A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010501849.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  吴伟诚 ,  魏修平 ,  陈志华 ,  郭正铮 ,  陈承先 ,  曾明鸿

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供集成电路结构，包括半导体芯片，金属垫在半导体芯片的主要表面上，以及凸块下金属层在金属垫之上与金属垫接触，金属凸块形成于凸块下金属层之上与凸块下金属层电性连接，伪图案形成在与金属垫相同的水平面上，且由与金属垫相同的金属材料形成。本发明对于改善芯片的可靠度具有显著的效果。

公开(公告)号：CN102148204A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110035323.0

申请日：2011-02-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/365 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种凸点焊盘结构的多方向设计，提供了一种集成电路结构，包括：半导体芯片，具有第一区域和第二区域；介电层，形成在半导体芯片的第一区域和第二区域上；第一伸长凸点下金属化(UBM)连接件，形成在半导体芯片的第一区域上的介电层中，并且具有在第一方向上延伸的第一长轴；以及第二伸长UBM连接件，形成在半导体芯片的第二区域上的介电层中，并且具有在第二方向上延伸的第二长轴。其中，第一方向与第二方向不同。

公开(公告)号：CN101714539A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910173952.2

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志华 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  沈文维

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19041

Abstract: 本发明提出了一种用于TSV铜附着的Z形结构及其形成系统和方法。优选的实施例包括与半导体管芯的最上层金属层的部分相接触的TSV。TSV导体和接触衬垫之间的分界面优选表现为非平面的Z形结构，其形成了接触点的网格结构。可选择的，接触点可能形成与接触衬垫相接触的多个金属线。

公开(公告)号：CN101308834A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810084038.6

申请日：2008-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  郭正铮 ,  卿恺明 ,  陈志华

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、以及由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与穿透硅通道的填充材料相同的材料。

公开(公告)号：CN113232032B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202110243466.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李建法 ,  吴丰光 ,  洪富成 ,  陈淇伟 ,  陈志华

IPC: B25J15/00 ,  B25J15/02

Abstract: 本发明实施例涉及一种用于移动晶片载具及包装材的机械夹爪及其操作方法。所述机械夹爪包含两个对置夹板组合件。所述两个夹板组合件经配置以彼此靠近或远离移动。所述夹板组合件中的每一者包含所述夹板组合件的底部处的可移动支撑销。

公开(公告)号：CN107644847B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201610891674.4

申请日：2016-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄育智 ,  陈志华 ,  林志伟 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬 ,  郑余任 ,  戴志轩

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包括模封半导体器件、第一重布线路层、第二重布线路层及多个层间导通孔。模封半导体器件包括管芯。第一重布线路层设置于模封半导体器件的第一侧。第二重布线路层设置于模封半导体器件的相对第一侧的第二侧。第二重布线路层包括图案化金属层以及金属环。图案化金属层具有电性连接至管芯的连接线路部。金属环围绕连接线路部并与连接线路部分离。层间导通孔连接至金属环的一部分且位于金属环的下方。层间导通孔延伸穿过模封半导体器件，以电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。

公开(公告)号：CN108962876B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201810603222.0

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈旭贤 ,  陈志华 ,  叶恩祥 ,  吕孟升 ,  陈承先

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/03 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/683 ,  H01L21/56

Abstract: POP结构及其形成方法。一种器件包括与底部封装件接合的顶部封装件。底部封装件包括模塑材料；在模塑材料中模制的器件管芯；穿透模塑材料的组件通孔(TAV)；以及位于器件管芯上方的再分配线。顶部封装件包括封装在其中的分立无源器件。分立无源器件与再分配线电连接。