公开(公告)号：CN103688356A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035052.1

申请日：2012-03-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  黄洸汉 ,  袁骏

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L29/42364 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

Abstract: 在替代栅方案中，在栅极腔中的底面和侧壁表面上沉积连续材料层。去除所述连续材料层的垂直部分，以形成其垂直部分不延伸到所述栅极腔的顶部的栅极部件。所述栅极部件可以用作栅极电介质或功函数材料部分以形成增强替代栅场效应晶体管的性能的栅极结构。

公开(公告)号：CN103247537A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310047484.0

申请日：2013-02-06

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡明 ,  郭德超 ,  C-C·叶

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及制造鳍片器件的方法和鳍片器件。一种制造鳍片FET器件的方法，包括以下步骤。在晶片中构图多个鳍片。形成虚拟栅极以覆盖鳍片作为沟道区的部分。在虚拟栅极的相对侧上形成间隔物。去除虚拟栅极，因此形成位于间隔物之间的暴露器件的沟道区中的鳍片的沟槽。将氮化物材料沉积在沟槽中，以便覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁。对晶片进行退火，在氮化物材料中诱导应变，由此形成应力氮化物膜，该膜覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁并诱导应变。去除应力氮化物膜。形成替代栅极覆盖器件的沟道区中的鳍片。

公开(公告)号：CN103107092A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210383534.8

申请日：2012-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  黄洸汉 ,  袁骏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2822 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种方法，其包括提供具有半导体层并在所述半导体层上设置有绝缘体层的晶片。所述绝缘体层具有在其中设置的开口以暴露所述半导体层的表面，其中每个开口对应于将会成为设置在栅极堆叠下面的半导体层内的晶体管通道的位置。所述方法还包括沉积高介电常数栅极绝缘体层以覆盖所述半导体层的暴露表面和所述绝缘体层的侧面；在高介电常数栅极绝缘体层上面沉积栅极金属层；通过栅极金属层和下面的高介电常数栅极绝缘体层注入碳以在所述半导体层的上部形成碳注入区域，所述碳注入区域具有选定碳浓度以建立所述晶体管的电压阈值。

公开(公告)号：CN103098200A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043465.X

申请日：2011-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·H·黄 ,  郭德超

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 通过去除衬底的掺杂区之上的多晶硅栅极并在所述衬底之上形成掩模层，以便通过所述掩模层内的孔暴露所述掺杂区，来制造晶体管。在所述掩模层的顶表面和侧表面上以及在所述掺杂区的顶表面上沉积界面层。在所述界面层上沉积这样的层，该层适于降低所述晶体管的阈值电压和/或减小所述晶体管的反型层的厚度。所述层包括扩散到所述界面层中的诸如铝或镧的金属，且还包括诸如氧化铪的氧化物。在所述掩模层的所述孔内形成导电插塞，例如金属插塞。所述界面层、所述界面层上的所述层以及所述导电插塞作为所述晶体管的替换栅极。

公开(公告)号：CN102971854A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201180033615.9

申请日：2011-06-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S-J·韩 ,  林崇勳 ,  郭德超 ,  J·常

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0048

Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成碳材料；在碳材料上形成栅极叠层；去除衬底的一部分以形成至少一个腔，所述腔通过碳材料的一部分和所述衬底限定；以及在至少一个腔内形成导电接触。

公开(公告)号：CN102893375A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180023957.2

申请日：2011-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  P·欧尔迪吉斯 ,  T-C·陈 ,  王岩峰

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 一种用于场效应晶体管（FET）器件的栅极叠层结构，包括：富氮的第一电介质层，其形成在半导体衬底表面之上；贫氮且富氧的第二电介质层，其形成在所述富氮的第一电介质层上，所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层；高k电介质层，其形成在所述双层界面层之上；金属栅极导体层，其形成在所述高k电介质层之上；以及功函数调整掺杂剂物质，其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内，且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔。

公开(公告)号：CN118476022A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086119.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·戈什 ,  S·穆克什 ,  朱文熙 ,  杨敏贤 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  卜惠明 ,  赵凯 ,  J·C·阿诺德 ,  B·安德森 ,  郭德超

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。

公开(公告)号：CN103348481B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280006806.0

申请日：2012-01-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  卜惠明 ,  郭德超 ,  W·E·亨施 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。

公开(公告)号：CN103620748B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280022389.9

申请日：2012-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 叶俊呈 ,  郭德超 ,  蔡明 ,  P·库尔卡尼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：在设置于衬底之上的一个或多个部分完成的场效应晶体管（FET）器件之上形成应力诱导层，所述一个或多个部分完成的FET器件包括牺牲伪栅极结构；对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构；以及在对所述应力诱导层进行平面化并且去除所述牺牲伪栅极结构之后，进行对所述应力诱导层的紫外（UV）固化，以增强由所述应力诱导层最初施加在所述一个或多个部分完成的FET器件的沟道区上的应力的值。

公开(公告)号：CN103890905B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280051237.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·卡蒂尔 ,  B·J·格里尼 ,  郭德超 ,  王淦 ,  王延锋 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/28017 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。