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公开(公告)号：CN107799391A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710840913.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/08 , B08B7/00
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67742
Abstract: 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN103069486B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102598131B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080049969.8
申请日：2010-11-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
CPC classification number: G11B5/855 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提供在基板上的磁敏感表面上形成包括磁畴及非磁性磁畴的图案的工艺与设备。在一个实施例中，一种在设置于基板上的磁敏感材料上形成多个磁畴的图案的方法包括：暴露磁敏感层的第一部分至由气体混合物形成的等离子体历时一段足够的时间，以将经由遮蔽层暴露的所述磁敏感层的所述第一部分的磁性从第一状态修改成第二状态，其中所述气体混合物至少包括含卤素气体及含氢气体。
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公开(公告)号：CN110741471B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880039885.2
申请日：2018-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/28 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。
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公开(公告)号：CN108140603B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201680058300.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112970102A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073425.6
申请日：2019-10-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/324 , G03F7/00
Abstract: 根据一个实施方式，公开了一种用于先进封装应用在面板中形成多个过孔的方法及设备。再分配层沉积于基板层上。可使用旋转涂布处理、喷洒涂布处理、液滴涂布处理或层压来沉积再分配层。接着使用腔室内部的印模微压印再分配层。接着在腔室内部烘烤再分配层和印模。从再分配层移除印模，以在再分配层中形成多个过孔。可使用清除浮渣处理移除再分配层上积聚的多余残留物。设置在多个过孔中每一个过孔的底部与基板层的顶部之间的残留物厚度层可具有小于约1μm的厚度。
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公开(公告)号：CN110741471A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880039885.2
申请日：2018-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/28 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。
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公开(公告)号：CN108140549A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058294.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02101 , H01L21/67034 , H01L21/6704 , H01L21/6719
Abstract: 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
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公开(公告)号：CN104813402B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201380058513.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/12 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11C11/16 , H01F41/34 , H01L21/2855 , H01L21/3081
Abstract: 描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图案在金属氮化物中，并且在等离子体暴露之后使用腐蚀性的湿式剥离工艺去除所述图案。所有的处理都在低温下进行，以避免热损伤磁性材料。
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公开(公告)号：CN105308723A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480032592.3
申请日：2014-05-27
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C18/1653 , C23C18/34 , C25D3/38 , C25D3/40 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/2885 , H01L21/76847 , H01L21/76898
Abstract: 提供一种处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，所述方法包括：提供具有孔的硅基板，所述孔在孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；和通过使电流流经基板的背侧而将基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。
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