公开(公告)号：CN103650177A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034135.9

申请日：2012-07-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/14 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00012

Abstract: 氮化镓类化合物半导体发光元件具有由一般式为AlxInyGazN(0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x＋y＋z＝1)的氮化物半导体形成、生长面具有非极性面或者半极性面的发光层(105)。氮化物半导体的生长面具有显示各向异性的二轴，氮化物半导体中的In组成具有在二轴中第一轴之轴方向上变化的分布，且In组成较低之区域和In组成较高之区域的交界面(51)自与第一轴垂直的面朝着生长面方向倾斜。

公开(公告)号：CN101981713B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080001306.9

申请日：2010-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32

Abstract: 氮化物系半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。

公开(公告)号：CN103003964A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201280002074.8

申请日：2012-01-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

Abstract: 在具有活性层的氮化镓类化合物半导体发光元件中，活性层包括阱层（104）和阻挡层（103），阱层（104）和阻挡层（103）分别是以m面为生长面的半导体层，阱层（104）具有下表面和上表面，并且沿该阱层（104）的层厚方向具有In组分根据自下表面的距离而变化的In组分分布，阱层（104）的In组分在自下表面的距离一定的位置呈现出极小，阱层（104）中的In组分呈现出极小的部分与下表面平行地延伸。

公开(公告)号：CN102067286B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980115958.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

公开(公告)号：CN102687292A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180003875.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  大屋满明 ,  山田笃志 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/28 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。

公开(公告)号：CN102422391A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020617.X

申请日：2010-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

公开(公告)号：CN102123794A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980131759.0

申请日：2009-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中原健吾 ,  加藤亮

IPC: B03C3/41 ,  B03C3/40 ,  B03C3/62

CPC classification number: B03C3/12 ,  B03C3/08 ,  B03C3/41 ,  B03C3/47 ,  B03C2201/10

Abstract: 本发明提供一种电集尘器，具备带电部和设置在带电部的下游的集尘部，带电部具有用于产生电晕放电的放电电极和与地连接的接地极板，接地极板具有绝缘性基板、设置在绝缘性基板的表面上的电阻体、和在绝缘性基板的表面上与电阻体电连接的导电部，该电集尘器使放电电极以规定间隔与接地极板的电阻体对置。

公开(公告)号：CN102067286A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980115958.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/303 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。

公开(公告)号：CN101406778A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810009667.2

申请日：2004-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣纯 ,  加藤亮 ,  须贺亮介 ,  中岛隆弘 ,  森丰 ,  相马尚胤 ,  桥口幸平 ,  源水和夫

IPC: B01D39/14 ,  A61L9/00 ,  F24F3/16 ,  F24F13/28

Abstract: 本发明公开了一种空气清洁过滤片，其特征在于，添附了从具有抗变态反应原性的原材料、具有抗菌性的原材料、具有抗病毒性的原材料、具有防霉性的原材料中选择的两个以上的原材料。

公开(公告)号：CN102484180B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080038204.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。