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公开(公告)号：CN101346857A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049460.7
申请日：2006-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/205 , H01L21/301 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/2201 , Y10S148/028
Abstract: 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。
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公开(公告)号：CN101971364B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200980101726.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102007611B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201080001393.8
申请日：2010-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102792471A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180011458.1
申请日：2011-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光二极管元件，具有：n型导电层（2），具有第1区域（2a）、第2区域（2b）及背面（2c）；设于n型导电层（2）的第1区域（2a）的活性层（3）以及p型导电层（4）；p型电极（5），设于p型导电层（4）的主面上；绝缘膜（15），设于通孔（8）的内壁，该通孔贯通n型导电层（2），并在n型导电层（2）的第2区域（2b）及背面（2c）具有开口；导电体部（9），在所述通孔（8）的内部设于绝缘膜（15）的表面；n型表面电极（6），设于第2区域（2b），并与导电体部（9）相接；以及n型背面电极（7），设于n型导电层（2）的背面（2c），并与导电体部（9）相接。
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公开(公告)号：CN102648535A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080042883.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L25/0753 , G02F1/133603 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置是至少具备第一以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一以及第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，半导体芯片包括由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠构造(45)，氮化物系半导体层叠构造(20)包括由氮化物半导体层构成的活性层区域(24)，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域层叠构造中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，第一以及第二氮化物系半导体发光元件分别从活性层区域(24)射出偏振光，在设第一以及第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ1以及λ2，设第一以及第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度为d1以及d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
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公开(公告)号：CN102598320A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004465.9
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
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公开(公告)号：CN102511085A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041041.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , Y10T436/112499 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：氮化物系半导体层叠结构(20)，其具有表面(12)从m面以1°以上且5°以下的角度倾斜的p型半导体区域；和设置在p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体层(26)形成。电极(30)包括：与p型半导体区域的表面(12)接触的Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的金属层(34)。金属层(34)由从Pt、Mo和Pd所组成的组中选择的至少1种金属形成。
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公开(公告)号：CN102007610A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN101981713A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
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公开(公告)号：CN1725839A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079952.8
申请日：2005-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 信息记录装置(20)包括：对节目数据进行编码的编码单元(22)，所述节目数据是由ADC(21)对通过调谐器(10)接收的使用者选定的广播信号进行了数字转换的节目数据；分割记录单元(23)，该分割记录单元把分成固定单元的编码节目数据记录到固定磁盘(24)上；重放单元(25)，其通过DAC(28)向监视器(30)输出解码的分割数据；压缩单元(26)，其把由重放单元(25)解码的压缩分割数据记录到固定磁盘(24)上；和清除单元(27)，其更新存储在固定磁盘(24)上的参考信息使之显示压缩分割数据的存储位置而不是分割数据的存储位置。
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