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公开(公告)号：CN102473458A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002631.1
申请日：2011-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , H01L27/0688 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供用以使各层的特性达到稳定的方式而形成于同一方向的存储器单元构成的多层的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元(51)形成于形成多层的X方向的位线(53)与Y方向的字线(52)的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线通过偶数层位线选择开关元件(57)、而共同连接的奇数层的位线通过奇数层位线选择开关元件(58)来切换控制与全局位线(56)的电连接/不连接。在偶数层位线选择开关(57)以及奇数层位线选择开关元件(58)与全局位线(56)之间构成有将P型电流限制元件(91)和N型电流限制元件(90)并联连接得到的双向电流限制电路(920)。
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公开(公告)号：CN101933096A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200980103512.8
申请日：2009-10-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供不使构成各存储单元的选择晶体管的尺寸变大，而能够实现稳定的动作的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(200)具备：半导体基板(301)，具有第一导电型的P型阱(301a)；存储单元阵列(202)，具备多个由在半导体基板(301)上形成的电阻变化元件(R11)和晶体管(N11)串联连接而构成的存储单元(M11)等；以及基板偏置电路(220)，在对构成被选择的存储单元(M11)等的电阻变化元件(R11)施加写入用的电压脉冲时，对P型阱(301a)施加偏置电压(VB)，以使其相对于晶体管(N11)的源极及漏极成为顺向。
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公开(公告)号：CN101878529A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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公开(公告)号：CN101779287A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880025595.9
申请日：2008-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种可将存储器单元的晶体管的尺寸最优化的电阻变化型非易失性存储装置。具备存储器单元(300)，该存储器单元(300)由电阻变化元件(309)与晶体管(317)串联连接而成，该电阻变化元件(309)包括下部电极(309a)、上部电极(309c)、以及根据向两电极间施加的极性不同的电信号而可逆地变化的电阻变化层(309b)，晶体管(317)包括半导体基板(301)和两个N型扩散层区域(302a、302b)；电阻变化层(309b)包含缺氧型的过渡金属的氧化物，下部电极(309a)和上部电极(309c)由包含不同元素的材料构成，下部电极(309a)的标准电极电位V1、上部电极(309c)的标准电极电位V2及上述过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt＜V2且V1＜V2的关系，下部电极(309a)与N型扩散层区域(302b)连接。
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公开(公告)号：CN101627438A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880007464.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质是一种具有通过施加电脉冲而电阻变化的非易失性存储元件的非易失性存储装置，其具备实行第一写入的第一写入电路(106)和实行第二写入的第二写入电路(108)。其中，第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103282965B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201280004338.3
申请日：2012-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种电阻变化型非易失性存储装置，具有：多层位线（BL）；在多层位线（BL）的层间分别形成的多层字线（WL）；存储单元阵列，具有在多层位线（BL）与多层字线（WL）的交点上分别形成的多个存储单元（MC），由多个基本阵列面构成；与多个基本阵列面分别对应设置的全局位线（GBL）；与多个基本阵列面分别对应设置的第1选择开关元件以及第2选择开关元件的组；在不同的基本阵列面间，连续访问与相同字线连接的存储单元，不改变向字线以及位线施加的电压，以使流过存储单元的电流的朝向相同的方式选择存储单元。
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公开(公告)号：CN103052991B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201280001689.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，恢复电阻变化故障，确保动作窗口，使电阻变化动作能够稳定地持续。在电阻变化型非易失性存储元件中，发生了电阻变化故障的情况下，对所述电阻变化型非易失性存储元件至少施加1次由第1恢复电压脉冲（14）和第2恢复电压脉冲（15）这两个脉冲构成的恢复电压脉冲，所述第1恢复电压脉冲（14）是振幅比通常的高电阻化电压脉冲及低电阻化电压脉冲大的高电阻化电压脉冲，所述第2恢复电压脉冲（15）后续于第1恢复电压脉冲（14），是低电阻化电压脉冲。
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公开(公告)号：CN102918600B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201280001064.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。
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公开(公告)号：CN102859604B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280000914.7
申请日：2012-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岛川一彦
IPC: G11C13/00
Abstract: 包括：参考单元(201a、b)，具有可变电阻元件，该可变电阻元件根据电信号的施加而在规定的低电阻状态LR与高电阻状态HR之间可逆地发生变化；比较器(204)，比较参考单元(201a、b)的电阻值；脉冲生成电路(202)，生成用于将参考单元(201a、b)设定为LR及HR中的任一方的电信号；以及控制电路(206)，控制以下动作，即将所生成的电信号施加给参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的比较结果对应的一方，之后反复进行向参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的新的比较结果对应的一方施加通过脉冲生成电路(202)生成的新的电信号的动作，之后将参考单元(201a、b)中的与比较器(204)的最终比较结果对应的一方连接到输出端子(208)上。
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公开(公告)号：CN102834872A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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