-
公开(公告)号：CN102203967B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080002932.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种氮化物类半导体元件，具备：氮化物类半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成，所述电极包含Mg、Zn以及Ag。
-
公开(公告)号：CN102648535A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201080042883.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L25/0753 , G02F1/133603 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/007 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置是至少具备第一以及第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一以及第二氮化物系半导体发光元件各自都具备半导体芯片，半导体芯片包括由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠构造(45)，氮化物系半导体层叠构造(20)包括由氮化物半导体层构成的活性层区域(24)，上述活性层区域从m面倾斜1°以上的角度，上述活性层区域层叠构造中的主面的法线和m面的法线形成的角度为1°以上且5°以下，第一以及第二氮化物系半导体发光元件分别从活性层区域(24)射出偏振光，在设第一以及第二氮化物系半导体发光元件射出的偏振光的波长为λ1以及λ2，设第一以及第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度为d1以及d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
-
公开(公告)号：CN102598320A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201180004465.9
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
-
公开(公告)号：CN102511085A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201080041041.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , Y10T436/112499 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：氮化物系半导体层叠结构(20)，其具有表面(12)从m面以1°以上且5°以下的角度倾斜的p型半导体区域；和设置在p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)半导体层(26)形成。电极(30)包括：与p型半导体区域的表面(12)接触的Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的金属层(34)。金属层(34)由从Pt、Mo和Pd所组成的组中选择的至少1种金属形成。
-
公开(公告)号：CN102456821A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110317627.6
申请日：2011-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/18 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102334204A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009597.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。
-
公开(公告)号：CN102318039A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
-
公开(公告)号：CN102007610A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
-
公开(公告)号：CN101981713A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
-
公开(公告)号：CN100452583C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
117
records
(took 0.057 seconds)
