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公开(公告)号：CN101836296B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN102017145B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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公开(公告)号：CN101981695B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101548336A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN1215569C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1180483C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01800687.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/161 , H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/161 , C30B25/02 , C30B29/52 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , Y10T428/12674 , Y10T428/265
Abstract: 在Si衬底101上，利用UHV-CVD法，使B掺杂Si1-x-yGexCy层102(0＜x＜1，0.01≤y＜1)外延成长。此时，作为杂质(掺杂物)的硼(B)的原料气体采用B2H6来进行现场掺杂。然后，对Si1-x-yGexCy层102实施热处理，作为B掺杂Si1-x-yGexCy结晶层103。希望把热处理温度设定在700℃～1020℃的范围内，而且，最好把热处理温度设定在900℃～1000℃的范围内。
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公开(公告)号：CN1169195C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01801731.2
申请日：2001-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , H01L21/02
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体，是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后，计算物理量测定值的预想值。并且，将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较，利用例如急速下降法等，求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。
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公开(公告)号：CN1364309A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800521.7
申请日：2001-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B33/00 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L29/1054 , H01L29/165
Abstract: 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。
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公开(公告)号：CN102119424B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080002012.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置(100)具备串联连接电阻变化元件(R11、R12、…)和存储单元(M11、M12、…)的存储单元(M11、M12、…)，电阻变化元件(R11、R12、…)由介于第1电极和上述第2电极之间并设置成与两电极相接的电阻变化层构成，存储单元(M11、M12、…)由介于第3电极和上述第4电极之间并设置成与两电极相接的电流控制层构成的电流控制元件(D11、D12、…)而构成，在将电阻变化元件低电阻化时经由电流限制电路(105b)由第1LR化驱动电路(105a1)驱动，在高电阻化时由第2HR化驱动电路(105a2)驱动，通过电流限制电路(105b)，将电阻变化元件低电阻化时的电流设为小于高电阻化时的电流。
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公开(公告)号：CN102084429B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080001938.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 提供用于提高写入在电阻变化型的非易失性存储元件的信息(电阻值)的保持特性的驱动方法。包括：第一写入工序(S01)，在电阻变化型的非易失性元件施加第一极性的第一电压，从而成为表示第一逻辑信息的低电阻状态；第二写入工序(S02)，施加与所述第一极性不同的第二极性的第二电压，从而成为第一高电阻状态；以及回写工序(S05)，在第二写入工序(S02)之后，施加第一极性的第三电压，从而成为表示与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息的第二高电阻状态。在此，第三电压的绝对值比第一电压小，第一高电阻状态的电阻值、第二高电阻状态的电阻值、以及低电阻状态的电阻值，按照其顺序大。
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