公开(公告)号：CN103733310A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280035317.8

申请日：2012-07-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  奥野博行 ,  横田嘉宏

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。

公开(公告)号：CN103534789A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022035.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  横田嘉宏 ,  前田刚彰

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：CN102838242A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210152478.7

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奈良井哲 ,  横田嘉宏 ,  林和志

IPC: C02F9/08 ,  C02F103/08

Abstract: 本发明提供一种海水的杀菌方法，其通过以电解后的紫外线光谱的峰值在特定范围产生的方式使海水电解，并在海水中产生臭氧等杀菌成分，从而能够有效地对海水进行杀菌。本发明使用一种海水的杀菌方法，其特征在于，通过以电解后的海水的紫外线吸收光谱的第1峰值在波长245～275nm之间产生、第2峰值在310～340nm之间产生的方式使海水电解，从而在海水中产生臭氧等杀菌成分。另外，优选以上述电解后的海水的紫外线光谱的第3峰值在波长280～305nm之间产生、第3峰值的吸光度比第1峰值和第2峰值的各吸光度更低的方式，使海水电解。

公开(公告)号：CN1804116B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200510131594.0

申请日：2005-11-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  林和志 ,  橘武史 ,  小桥宏司

IPC: C23C16/27 ,  C30B25/00 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B29/04 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/274 ,  C23C16/277 ,  C23C16/279 ,  C30B25/105 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  Y10T428/30

Abstract: 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]-[O])/[CH3+H2+O2]大于等于-0.2×10-2、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750-1000℃。

公开(公告)号：CN100401529C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410100654.8

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  川上信之 ,  橘武史 ,  林和志

IPC: H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/78

Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。