公开(公告)号：CN1627535A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100654.8

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  川上信之 ,  橘武史 ,  林和志

IPC: H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/78

Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。

公开(公告)号：CN1499620A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114841.7

申请日：2003-11-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 橘武史 ,  林和志 ,  井上宪一 ,  横田嘉宏 ,  小桥宏司 ,  川上信之 ,  古保里隆

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。

公开(公告)号：CN104871010A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380061292.3

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之

IPC: G01R1/067 ,  C23C14/06 ,  H01H1/04 ,  H01H1/06 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06755 ,  C23C14/06 ,  G01R1/0416 ,  G01R1/06738 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2886 ,  H01H1/027 ,  H01H1/06 ,  H01H2300/036 ,  H01R13/03

Abstract: 本发明的电接触构件，是与被测体反复接触的电接触构件。与被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构成。在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ra1在一定的值以下。由此，能够实现与被测体的低附着性，长期稳定抑制接触电阻的上升，确保稳定的电接触。

公开(公告)号：CN101971294B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN102077323A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125535.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  福间信也 ,  三木绫 ,  越智元隆 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。

公开(公告)号：CN101971294A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN101919060A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980101632.4

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  川上信之 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。

公开(公告)号：CN101083269A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710103204.8

申请日：2007-05-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  后藤裕史 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L29/78609

Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。

公开(公告)号：CN1917219A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610114892.3

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。

公开(公告)号：CN1426089A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02118458.5

申请日：2002-04-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  铃木康平 ,  饭岛胜之 ,  田中丈晴 ,  长濑佳之 ,  增田薰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明是一种在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥的方法。采用本发明的干燥方法，在用液态/超临界二氧化碳处理前，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下使之与二氧化碳接触，从而能够尽可能地抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。另外，包括使用含水溶剂的洗涤工序的情况下，由于其构成为用排水液置换水，再用碳氟化合物系溶剂置换该排水液，因此能够迅速进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥之前的工序，也可以抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。