公开(公告)号：CN116230635A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310227412.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN107305863B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201710235954.4

申请日：2017-04-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 土屋利夫 ,  星野仁志

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  B23K26/38 ,  B23K26/08 ,  B23K26/03 ,  B23K26/70

Abstract: 提供一种晶片的加工方法，即使从在外周侧形成有环状加强部的晶片将环状加强部去除，也能够对晶片进行合适地对位。一种晶片的加工方法，从在器件区域(A1)的周围形成有环状加强部(71)的晶片(W)将环状加强部去除，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：借助粘合带(T)将晶片支承在框架(F)上的步骤；在比环状加强部与器件区域之间的边界部(73)靠内径侧的位置形成与凹口(N)对应的标记(M)的步骤；将环状加强部与器件区域之间的边界部与粘合带一同切断而将器件区域与环状加强部分离的步骤；以及使环状加强部与框架一同从保持工作台脱离而将环状加强部去除的步骤。

公开(公告)号：CN110047745A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910030538.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  D·迈尔

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304

Abstract: 处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆(W)在一侧(1)上具有器件区域(2)，器件区域(2)具有多个器件(27)。特别地，该发明涉及一种方法，其包括：提供保护膜(4)，以及将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，使得保护膜(4)的前表面(4a)的至少中心区域与晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)直接接触。该方法还包括：在将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)期间和/或之后，向保护膜(4)施加外部刺激，使得保护膜(4)附接到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，以及处理晶圆(W)的一侧(1)和/或晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)。

公开(公告)号：CN109309047A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810826147.4

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN107305863A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710235954.4

申请日：2017-04-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 土屋利夫 ,  星野仁志

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  B23K26/38 ,  B23K26/08 ,  B23K26/03 ,  B23K26/70

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L21/78 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0846 ,  B23K26/38 ,  B23K26/702 ,  H01L2221/68327

Abstract: 提供一种晶片的加工方法，即使从在外周侧形成有环状加强部的晶片将环状加强部去除，也能够对晶片进行合适地对位。一种晶片的加工方法，从在器件区域(A1)的周围形成有环状加强部(71)的晶片(W)将环状加强部去除，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：借助粘合带(T)将晶片支承在框架(F)上的步骤；在比环状加强部与器件区域之间的边界部(73)靠内径侧的位置形成与凹口(N)对应的标记(M)的步骤；将环状加强部与器件区域之间的边界部与粘合带一同切断而将器件区域与环状加强部分离的步骤；以及使环状加强部与框架一同从保持工作台脱离而将环状加强部去除的步骤。

公开(公告)号：CN102097310B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201010551954.3

申请日：2010-11-17

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 星野仁志 ,  能丸圭司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法，能够在不到达光器件层的范围内容易地形成变质层，并能使器件厚度形成为预定厚度。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件，其中光器件晶片构成为在基板表面层叠有光器件层、在通过间隔道划分出的多个区域中形成了光器件，该加工方法包括：保护部件粘贴工序，在光器件晶片表面粘贴保护部件；变质层形成工序，将聚光点定位于基板内部从基板背面侧沿间隔道照射激光光线，以在基板内部在比光器件层靠背面侧位置沿间隔道形成变质层；背面磨削工序，对基板背面进行磨削以形成为预定厚度；和晶片断裂工序，对光器件晶片施加外力使光器件晶片沿形成有变质层的间隔道断裂从而分割成一个个光器件。

公开(公告)号：CN102189341B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201110043746.7

申请日：2011-02-22

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 远藤智裕 ,  星野仁志 ,  大庭龙吾 ,  福冈武臣 ,  秋田壮一郎

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/064 ,  B23K26/08 ,  B23K26/04

Abstract: 本发明提供一种激光加工装置，其不会伴随烦琐的作业，能在确保作业人员安全的状态下可靠进行激光光线照射角度调整作业。在激光光线光轴上配设光轴确认部，该光轴确认部具有激光光线所通过的荧光板和对荧光板进行摄像的摄像部，在卸下聚光透镜的状态下向晶片(工件)照射激光光线。通过荧光板的激光光线的照射光和来自晶片的反射光在荧光板处发光，在发光点为1个的情况下判断为相对于晶片表面的照射角度为直角。在发光点为2个的情况下，一边对摄像部拍摄的像进行确认一边利用角度调整镜对照射角度进行调整，以使发光点成为一个。由于利用壳体遮挡激光光线、并利用摄像部对荧光板的发光状态进行确认，因此照射角度的调整不需要遮光隔室和护目镜。

公开(公告)号：CN103548158A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024069.7

申请日：2012-04-03

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  武田秀俊 ,  本庄庆司 ,  星野仁志

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的发光元件的制造方法以及使用该方法制造的发光元件，在制造发光元件时，不会因为形成设置于单晶衬底上的纵孔而对发光元件层造成损坏；在该发光元件的制造方法中，经过下述工序来制造发光元件(80)，该工序是指：在发光元件用单晶衬底(30A)的一面(32T)上形成发光元件层(40)；接着，对发光元件用单晶衬底(30A)的另一面(32B)进行研磨，直到成为纵孔(34A)沿厚度方向贯穿发光元件用单晶衬底(30A)的状态为止；接着，通过从纵孔(34B)的另一面(32B)的开口部(36B)侧向纵孔(34B)内填充导电性材料，从而形成从发光元件层(40)侧延续至另一面(32B)的开口部(36B)为止的导电部(50)。

公开(公告)号：CN102763192A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180008801.7

申请日：2011-03-04

Applicant: 并木精密宝石株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 会田英雄 ,  青田奈津子 ,  星野仁志 ,  古田健次 ,  浜元友三郎 ,  本庄庆司

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  C30B33/04 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02691

Abstract: 本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法；在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜，接着，将结晶性膜从单晶衬底分离，对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置，在将翘曲成凹状侧的面假设为0％、翘曲成凸状侧的面假设为100％时，将脉冲激光汇聚在厚度方向的3％以上且小于50％的范围内的结晶性膜内部并进行扫描，从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形，由此减少或消除结晶性膜的翘曲量，从而减少或消除晶轴角度的偏差。

公开(公告)号：CN102299105A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110159361.7

申请日：2011-05-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 星野仁志

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B23K26/00

Abstract: 本发明提供蓝宝石晶片的分割方法，能够对形成有反射膜的蓝宝石晶片进行确切的分割加工。从蓝宝石晶片(1)的背面侧沿着分割预定线，向蓝宝石晶片(1)的内部会聚地照射透射过蓝宝石的波长的脉冲激光，在内部形成改质层(30)，之后，在蓝宝石晶片(1)的背面侧形成反射膜(31)，之后，对改质层(30)施加外力，由此沿着分割预定线分割蓝宝石晶片(1)。