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公开(公告)号：CN103189403A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180053151.8
申请日：2011-10-24
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L51/5259 , B01D53/28 , B01D2253/202 , B01J20/223 , C08F220/04 , C08F222/1006
Abstract: 本发明的组合物含有下述通式(1)所示的化合物(A)和自由基产生剂(C)。(R1)nM (1)上述式(1)中，R1可以相同也可以不同，但是多个存在的R1之中的至少一个为具有一个以上不饱和键的基团。n为2或3，等于M的化合价。M为从铝、硼、镁以及钙中选出的一种。
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公开(公告)号：CN101889063A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119770.0
申请日：2008-12-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D185/00 , B32B15/20 , C09D5/00 , C09D7/12 , C07C211/65 , C07F5/06
CPC classification number: C09D185/00 , B32B15/20 , C07C211/65 , C07F5/069 , C09D5/00 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/14
Abstract: 本发明涉及铝膜形成用组合物，该组合物含有下式(1)所示的络合物和下式(2)所示的络合物，下式(1)所示的络合物与下式(2)所示的络合物的摩尔比为40∶60-85∶15，AlH3·NR1R2R3(1)；AlH3·(NR1R2R3)2(2)。式(1)和(2)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子、烷基、环烷基、烯基、炔基、芳基或芳烷基。
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公开(公告)号：CN102639642B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080053173.X
申请日：2010-10-15
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的组合物包括下述通式(1)所示的化合物(A)和具有下述通式(2)所示的结构的化合物(B)。(R1)nM？？...(1)
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公开(公告)号：CN103456964A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310211605.0
申请日：2013-05-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01M4/62
CPC classification number: H01M4/622 , C08G73/1042 , C08G73/105 , C08G73/1064 , C08G73/1071 , C08L79/08 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及蓄电装置的电极用粘合剂组合物，其特征在于，含有：(A)选自由聚酰胺酸及酰亚胺化率为50%以下的其酰亚胺化聚合物组成的组中的至少一种聚合物、和(B)水，并且将上述(A)聚合物的含量设为Ma质量份、上述(B)水的含量设为Mb质量份时，两者之比Ma/Mb为500～5000。本发明的电极用粘合剂组合物提供充放电容量大、由于充放电循环的重复所导致的容量劣化的程度小的蓄电装置。
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公开(公告)号：CN102639642A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080053173.X
申请日：2010-10-15
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , C08G77/12 , C08G77/58 , C08K5/057 , C08K5/5419 , H01L23/296 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的组合物包括下述通式(1)所示的化合物(A)和具有下述通式(2)所示的结构的化合物(B)。(R1)nM ...(1)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN101516970A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034461.9
申请日：2007-09-21
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G77/12 , C04B41/81 , C09D183/05 , H01L21/316 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/3124 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/16 , C09D183/04 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/316 , H01L21/76224
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂，其特征在于：由下述示性式(1)表示：(H2SiO)n(Si1.5)m(SiO2)k(1)；(式(1)中，n、m和k分别为数，n+m+k＝1时，n为0.05以上，m超过0但为0.95以下，k为0～0.2)，该树脂在120℃下为固态。本发明的有机硅树脂适合在用于形成长宽比较大的沟槽隔离的组合物中使用。
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公开(公告)号：CN100423199C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480030494.2
申请日：2004-10-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L21/28518 , C07F17/02 , C23C18/1204 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅-钴膜。
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公开(公告)号：CN100423197C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN03801435.1
申请日：2003-08-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/208
CPC classification number: C23C24/10 , C23C26/02 , C30B7/005 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02667 , H01L21/02686
Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN100355653C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200480000672.7
申请日：2004-06-11
Applicant: JSR株式会社
IPC: C01B33/04 , C01B33/021 , H01L21/208
CPC classification number: C09D183/16 , C01B33/08 , C09D4/00 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , C08G77/00
Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。
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