公开(公告)号：CN101681751A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017294.1

申请日：2008-05-28

Applicant: 电子线技术院株式会社

Inventor： 金浩燮

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/14 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明涉及在包括电子发射源和透镜的电子柱结构中使用附着有一个或多个碳纳米管(CNT)的电子发射源的电子柱。更具体地，本发明涉及容易地对准碳纳米管(CNT)针尖的方法以及能够使用该方法的电子柱。

公开(公告)号：CN100585785C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610139236.9

申请日：2006-09-20

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 藤枝正 ,  日高贵志夫 ,  林原光男

IPC: H01J37/073 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/28 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/30 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745

Abstract: 本发明提供一种具有不会破坏纤维状碳物质前端部，可去除其前端部存在的非晶碳的机构的场致发射型电子枪及其运转方法。为解决本发明的课题的机构的场致发射型电子枪，其包括：由单一的纤维状碳物质和支撑其的导电性基体材料构成的场致发射型阴极；使电子场致发射的引出装置；以及使电子加速的加速装置；该场致发射型电子枪具备：加热该场致发射型阴极的机构以及对该场致发射型阴极施加不使电子进行场致发射电的极性的电压的机构。

公开(公告)号：CN101442848A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200710124674.2

申请日：2007-11-23

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H05B7/00 ,  H01J1/30

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J37/305 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/062 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/317 ,  H05B2214/04 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明涉及一种局域加热物体的方法，包括以下步骤：提供一待加热的物体和一电子发射源，该电子发射源具有一电子发射端，该待加热物体具有一待加热端；将该待加热物体和该电子发射源放入一真空环境中，并使该电子发射源的电子发射端正对待加热物体的待加热端设置；在所述待加热物体和电子发射源之间施加一电压，所述电子发射源发射的电子轰击所述待加热物体的待加热端，对该待加热物体进行局域加热。

公开(公告)号：CN101361154A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001460.4

申请日：2007-09-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 植田晓彦 ,  山本喜之 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30419 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3146 ,  H01J2237/31749 ,  H01J2237/3175

Abstract: 一种金刚石电子源和制造该金刚石电子源的方法，在该金刚石电子源中，作为在电子显微镜或其他电子束装置中使用的电子发射点，单个尖锐末端形成在其尺寸使在微加工工序中难以进行抗蚀剂涂布的柱状金刚石单晶的一端。研磨柱状金刚石单晶(10)的一端，以形成光滑平面(11)，并且在光滑平面(11)上形成陶瓷层(12)。使用聚焦离子束装置，在陶瓷层(12)上沉积具有指定形状的薄膜层(14)，并在此之后使用薄膜层(14)作为掩模通过蚀刻来图案化陶瓷层(12)。使用得到的陶瓷掩模以通过干法蚀刻在柱状金刚石单晶(10)的一端处形成单个尖锐末端。

公开(公告)号：CN105144336B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480023185.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 今井悠太 ,  大岛卓 ,  森下英郎

IPC: H01J37/073 ,  H01J27/26 ,  H01J37/06 ,  H01J37/063 ,  H01J37/08 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J27/02 ,  H01J27/26 ,  H01J29/481 ,  H01J37/06 ,  H01J37/063 ,  H01J37/08 ,  H01J37/145 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/062 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/0802 ,  H01J2237/1508 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/2801

Abstract: 本申请的目的是提供仅使用静电透镜的比较小型而像差小的带电粒子枪，并提供在大电流下也具有高亮度的场发射型带电粒子枪。带电粒子枪具有：带电粒子源；加速电极，其使从带电粒子源发射的带电粒子加速；控制电极，其配置在比加速电极靠近带电粒子源侧且具有比加速电极的开口直径大的开口直径；以及控制部，其根据施加于加速电极的电位对施加于控制电极的电位进行控制。

公开(公告)号：CN105144336A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023185.6

申请日：2014-04-14

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 今井悠太 ,  大岛卓 ,  森下英郎

IPC: H01J37/073 ,  H01J27/26 ,  H01J37/06 ,  H01J37/063 ,  H01J37/08 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J27/02 ,  H01J27/26 ,  H01J29/481 ,  H01J37/06 ,  H01J37/063 ,  H01J37/08 ,  H01J37/145 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/062 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/06375 ,  H01J2237/0802 ,  H01J2237/1508 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/2801

Abstract: 本申请的目的是提供仅使用静电透镜的比较小型而像差小的带电粒子枪，并提供在大电流下也具有高亮度的场发射型带电粒子枪。带电粒子枪具有：带电粒子源；加速电极，其使从带电粒子源发射的带电粒子加速；控制电极，其配置在比加速电极靠近带电粒子源侧且具有比加速电极的开口直径大的开口直径；以及控制部，其根据施加于加速电极的电位对施加于控制电极的电位进行控制。

公开(公告)号：CN1808683B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN200510108934.8

申请日：2005-09-23

Applicant: FEI公司

Inventor： N·德荣格 ,  E·P·A·M·巴克斯 ,  L·F·菲纳 ,  A·M·卡沃萨

IPC: H01J37/06 ,  H01J37/26 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/262 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/3175

Abstract: 电子源、以及包括这种电子源的带电粒子设备本发明提供适于用在带电粒子设备中的电子源，在该电子源中，可从受到电势、热激励和光子激励中的至少一个的电极提取电子束，由此至少部分电极包括量化为分立能级的传导带的半导体材料。这种电子源具有相对低的能量扩展度，通常比冷场致发射枪(CFEG)的能量扩展度小得多。所述半导体材料可例如包括半导体毫微线。用于这种毫微线的适当半导体材料的实例包括InAs和GaInAs。

公开(公告)号：CN103765544A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041417.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 片桐创一 ,  大岛卓 ,  伊东祐博

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073

CPC classification number: H01J37/073 ,  H01J1/16 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J9/04 ,  H01J37/06 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341

Abstract: 为了延长场致发射型电子源的寿命，当增加扩散补偿源(1)即氧化锆的容积或重量时，存在容易对扩散补偿源(1)自身或钨针(2)带来损伤这样的课题。作为进一步的课题，还考虑为了避免上述课题而通过薄膜来形成扩散补偿源(1)的情况，但难以稳定得到超过8000小时的实用的寿命。本发明提供一种不会产生扩散补偿源(1)的缺损或破裂，且通过少量的扩散补偿源(1)的增量就能够延长寿命的场致发射型电子源，清楚可知能够稳定得到超过8000小时的实用的寿命。

公开(公告)号：CN103295854A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210042274.8

申请日：2012-02-23

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01J1/14 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/042 ,  H01J37/073 ,  H01J63/02 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/196 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06333 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26 ,  H01J2237/28 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T428/24132

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管微尖结构，其包括：一绝缘基底，该绝缘基底具有一表面，该表面具有一边缘；一图案化碳纳米管膜结构，该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面，该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂，该两个条形臂在端部相连以形成一尖端，该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置，该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。

公开(公告)号：CN103198990A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310005725.5

申请日：2013-01-08

Applicant: FEI公司

Inventor： L.W.斯万森 ,  G.A.施温德 ,  S.克罗格 ,  刘坤

IPC: H01J9/44

CPC classification number: H01J37/00 ,  G01T1/29 ,  H01J37/02 ,  H01J37/073 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。