公开(公告)号：CN114361154A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111176640.4

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳志秀 ,  徐在禹 ,  俞炫圭 ,  白尚训 ,  郑钟勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 提供了一种集成电路及设计集成电路的方法。集成电路包括：第一单元，其具有第一高度，并且布置于在第一方向上延伸的第一行中；第二单元，其具有第二高度，并且布置于在第一方向上延伸并且与第一行相邻的第二行中，其中，第二单元在垂直于第一方向的第二方向上与第一单元相邻；以及电力线，其在第一方向上延伸，布置在第一单元与第二单元之间的边界上，并且被配置为将电力供应到第一单元和第二单元。第一单元沿着第二方向与电力线的具有第一宽度的部分叠置，并且第二单元沿着第二方向与电力线的具有第二宽度的部分叠置，并且第一宽度和第二宽度彼此不同。

公开(公告)号：CN104282655B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201410331005.2

申请日：2014-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在禹 ,  丁健钰 ,  金珉修 ,  韩相信 ,  姜主贤 ,  赵郁来

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/538 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一源电极，其配置为将第一功率轨连接至第一杂质区，所述第一功率轨结合至第一电压源；第二源电极，其配置为将第二功率轨连接至第二杂质区，所述第二功率轨结合至第二电压源，第一电压源和第二电压源不同；栅电极，其位于第一杂质区和第二杂质区上；第一漏电极，其位于第一杂质区上；第二漏电极，其位于第二杂质区上；以及互连线，其连接至第一漏电极和第二漏电极，所述互连线形成至少一个闭环。