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公开(公告)号：CN114420551A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111159129.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够抑制在液处理中使基板被污染。基于本公开的一个方式的基板处理方法包括处理液喷出工序和混合流体喷出工序。在处理液喷出工序中，向基板喷出将硫酸和过氧化氢水溶液混合生成的处理液。在混合流体喷出工序中，向被喷出有处理液的基板喷出将处理液与蒸汽状或雾状的纯水混合生成的混合流体。
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公开(公告)号：CN107851572B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680044518.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置具备：固定杯体(51)，其包围基板保持部(31)并接受被供给到基板的处理液或处理液的雾，且相对于处理容器相对地不动；雾防护件(80)；以及防护件升降机构(84)，其使雾防护件升降。雾防护件以包围固定杯体的方式设置于固定杯体的外侧，对越过固定杯体的上方而向外方飞散的液进行阻断。雾防护件具有：筒状的筒部(81)；以及伸出部(82)，其从筒部的上端朝且向固定杯体的侧伸出。
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公开(公告)号：CN106486341B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610596540.X
申请日：2016-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够与处理所需的喷出形态相应地不产生喷出不良地喷出处理流体的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具有喷嘴和配管。喷嘴朝向基板喷出处理流体。配管向喷嘴供给处理流体。另外，配管具有从内侧依次呈第1层、第2层以及第3层的3层构造，喷嘴与第1层的顶端以及第3层的顶端接合，第1层的顶端位于比第2层的顶端不向处理流体的喷出方向突出的位置。
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公开(公告)号：CN106960807A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710022808.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/10 , B08B17/025 , B08B2203/0229 , C11D11/0047 , H01L21/02041 , H01L21/67017
Abstract: 本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、第1杯状件、第2杯状件以及清洗液供给部。保持部用于保持基板。处理液供给部用于向基板供给第1处理液和第2处理液。第1杯状件具有周壁部，用于将第1处理液回收于由周壁部形成的回收部中。第2杯状件与第1杯状件相邻地配置，用于对第2处理液进行回收。清洗液供给部用于将清洗液向第1杯状件的回收部供给。在基板处理装置中，通过使由清洗液供给部供给来的清洗液从周壁部向第2杯状件侧溢流，来对周壁部进行清洗。
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公开(公告)号：CN101581885A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910128637.8
申请日：2009-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供一种涂敷装置。该涂敷装置具备驱动部(12)，使基板保持部(11)绕铅直轴旋转，以使供给到基板(W)的表面中央部的涂敷液借助离心力扩散到基板的表面周缘部。另外，该装置具备振颤抑制机构(50)，该振颤抑制机构(50)具有分别以与基板的背面相对置的方式设置的排出口(50a)和抽吸口(50b)，通过从排出口排出气体并且向抽吸口抽吸气体，来抑制旋转过程中的基板的振颤。
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公开(公告)号：CN209804605U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920580093.8
申请日：2019-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种液体处理装置，其包含：液体处理部，其具有多个，对被处理体供给处理液并对被处理体进行液体处理；共通排气通路，其与多个液体处理部分别连接，将多个液体处理部内的环境气体排出；个别排气通路，其将各个液体处理部与共通排气通路连接；开闭机构，其以可自由开闭的方式设置在个别排气通路上；外部气体吸入部，其将外部气体吸入共通排气通路；吸入量调整阀，其设置于共通排气通路，调整从外部气体吸入部吸入的外部气体的流量；以及控制部，其以随着通过开闭机构与共通排气通路连通的液体处理部的个数的减少，使吸入量调整阀的开度变大的方式，控制吸入量调整阀的开度。
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公开(公告)号：CN219370972U
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202223248445.0
申请日：2022-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型涉及喷嘴以及基板处理装置。能够在使用流体与处理液的混合流体的液处理中将流体与处理液高效地混合。喷嘴是将包含加压后的纯水的蒸气或雾沫的流体与至少包含硫酸的处理液混合并喷出的喷嘴。喷嘴具备第1喷出口、第2喷出口以及导出路。第1喷出口喷出流体。第2喷出口喷出处理液。导出路与第1喷出口以及第2喷出口连通，用于导出从第1喷出口喷出来的流体和从第2喷出口喷出来的处理液的混合流体。另外，第1喷出口或第2喷出口配置为在平面视角下朝向自导出路的中心轴线偏离的位置。
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公开(公告)号：CN217768298U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202220277460.9
申请日：2022-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理装置，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。
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公开(公告)号：CN216413018U
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202122375625.4
申请日：2021-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴具有第1喷出口、第2喷出口以及导出路径。第1喷出口喷出自流体供给部供给的流体。第2喷出口喷出自处理液供给部供给的处理液。导出路径与第1喷出口以及第2喷出口连通，导出自第1喷出口喷出的流体和自第2喷出口喷出的处理液的混合流体。另外，导出路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。
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公开(公告)号：CN308817538S
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202330173462.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1.本外观设计产品的名称：半导体基板保持具的主体。
2.本外观设计产品的用途：本产品的整体用途是用于保持半导体晶圆等基板，局部用途是半导体基板保持具的主体。
3.本外观设计产品的设计要点：在于要求保护的部分的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
5.其他需要说明的情形其他说明：本外观设计产品请求局部外观设计保护，实线所表示的部分为请求保护的部分，虚线所表示的部分为不请求保护的部分，点划线表示请求保护的部分与不请求保护的部分之间的分界线。
参考图表示本产品与底座的接合状态。
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