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公开(公告)号：CN103034252A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210559376.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: G05D9/12
Abstract: 本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。
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公开(公告)号：CN102828238A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210303314.X
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明一种用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法，首先选取复合衬底晶片，在初始温度和外延起始温度不同时，计算出复合衬底晶片中第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化，然后根据第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化计算出复合衬底晶片变形后的球面半径；再根据计算得出的R0值在载体上开设衬底球径结构；然后把复合衬底晶片置放到衬底球径结构中，在HVPE中进行半导体材料生长。本发明改善了半导体材料外延过程起始阶段衬底晶片表面温场的均匀性，提高外延起始层与原有材料的衔接质量，降低了工艺调试难度，提高了外延半导体材料的质量。
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公开(公告)号：CN102154691B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110142242.0
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种狭缝式多气体输运喷头结构，包括喷头，喷头上设有若干进气管道、若干辅助气路管道、第一匀气孔板、第二匀气孔板及导流板，进气管道管壁与辅助气路管道空间连通，第一匀气孔板外侧设有若干相互平行的进气管道，第一匀气孔板内侧相邻进气管道之间设有与进气管道平行的导流板，所述导流板连接第一匀气孔板及第二匀气孔板后向下延伸。本发明能有效减少预反应的发生，提高反应效率，且当喷头的长度增加时，增加对应的辅助气路管道的数量，实现气流的浓度和速度均匀分布，从而满足大规模生产设备的需要。
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公开(公告)号：CN102094248A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010618011.8
申请日：2010-12-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能依据降温速率、停留时间、移动速度等进行退火控制的装置和方法，特别解决了目前不能根据GaN衬底温度为依据的自动控制的问题，由此可以把温度作定量，而对不同片厚度的GaN作退火工艺研究及其稳定退火工艺。本发明采用闭环控制，实现了自动判断、降温方式可调、退火控制菜单可编和实时存储数据功能。本发明用于半导体行业中的退火工艺的自动化控制，操作提示、形象化显示、暂停取消和显示当时运行状态等功能均具备。可以根据不同的需要而制定专用程序。
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公开(公告)号：CN105990182B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201510050675.1
申请日：2015-01-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清除HVPE设备中III族混晶氮化物沉积物的回收装置及方法。本发明设计包括了主槽、防壁流挡圈、导流槽及收集器的III族混晶氮化物沉积物的回收装置，并利用腐蚀性气体在高温下对其具有腐蚀分解作用，有效地回收高温分解后的液态氮化物，解决反应腔体中直管与弯管之间严重堵塞及其高温分解产物的无定向流动等问题。本发明装置及方法，其结构合理紧凑、操作简便，能更好地保证被分解的混晶III族氮化物液体流聚到指定区域，便于收集清理，防止腔室的堵塞与污染，增加HVPE设备的使用寿命，极具实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106435524B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610598446.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/448 , H01L21/67
Abstract: 一种垂直式HVPE生长设备用温场装置，包括反应器和加热器，该反应器下部套装在加热器内，加热器内设置有升降杆，该升降杆顶端安装有衬底支撑盘，升降杆上活动套装有隔热层，隔热层与衬底支撑盘之间设置有伸缩式连接器，该伸缩式连接器上端与升降杆上部连接，下端与隔热层连接，该隔热层由至少两层隔热层间隔设置构成，该升降杆升降运动的同时还能转动。本发明中，利用升降杆和伸缩式连接器，实现伸缩连接器与升降杆在加热器内所占的高度空间最小，减低设备制造高度，节约了成本，利用隔热层具有的多层隔热层结构，将隔热层区域的温场分为多个温度梯度带，增大恒温区范围，减少温区内部热量的散失，恒温区温场更加稳定。
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公开(公告)号：CN106191989A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610611553.X
申请日：2016-07-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: C30B25/08 , C30B29/406
Abstract: 一种HVPE设备用镓舟反应器，包括进气管、圆筒形侧壁、底部和顶盖，所述底部与圆筒形侧壁连接成一个容器；所述顶盖连接于圆筒形侧壁上；所述进气管穿设于顶盖或圆筒形侧壁上；所述容器上设有出气管；所述进气管包括进气连接管和螺旋喷管，所述螺旋喷管包括螺旋喷管入口、螺旋喷管管壁和螺旋喷管出口，所述进气管与螺旋喷管入口连接，所述螺旋喷管位于容器内。本发明提供的一种HVPE设备用镓舟反应器，可增加反应气体在反应器内的停留时间，也能均衡反应气体与金属镓的反应速度。
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公开(公告)号：CN103034252B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210559376.7
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: G05D9/12
Abstract: 本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。
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公开(公告)号：CN102903653B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210319877.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
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公开(公告)号：CN104264218A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410499656.2
申请日：2014-09-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于氢化物气相外延(HVPE)生长的加热装置，包括5个加热温区、炉内加热模块、加热炉体及加热炉外壳；所述加热炉体分为辅助加热温区和材料生长加热恒温区；所述各加热温区均设置多个加热模块及其内置温度传感器；所述各加热模块及其内置温度传感器分别与自动控温电路连接，通过自动控温电路合理调节加热模块的加热功率，结合在加热温区中设置的加热模块的种类及加热方式，将每一个温区的温度独立、精密控制在预设温度范围，从而实现炉内温场的温度分布均匀、稳定。本发明尤其适合于大面积区域的材料生长。
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