公开(公告)号：CN101783284A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010002025.7

申请日：2010-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤：制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底；使用第一碱性溶液清洗主表面；以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后，使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11)，并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。

公开(公告)号：CN105789029A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610129950.3

申请日：2010-12-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  和田圭司 ,  宫崎富仁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21?25)和衬底(2)。半导体层(21?25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21?25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B)。另外，衬底(2)由具有4H型单晶结构的碳化硅制成。并且，衬底(2)具有在光致发光测量时，在500nm附近波长处的峰强度与在390nm附近波长处的峰强度的比率为0.1或更小的物理特性。所公开的方法得到具有低导通电阻的半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN105745364A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480061900.5

申请日：2014-10-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  佐佐木信 ,  本家翼 ,  川濑智博

IPC: C30B29/36 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B28D5/045 ,  B24B27/0633 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  C30B33/06

Abstract: 提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm?4且不大于1×1018cm?4。

公开(公告)号：CN102959709B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180030749.5

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  伊藤里美 ,  冲田恭子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含 方向和 方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

公开(公告)号：CN102160143B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201080002667.5

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真 ,  西口太郎 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 准备具有第一后侧表面(B1)的第一碳化硅衬底(11)和具有第二后侧表面(B2)的第二碳化硅衬底。放置第一碳化硅衬底(11)和第二碳化硅衬底(12)，以在一个方向上露出第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)中的每个。形成连接部(50)，以将第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)彼此连接。形成连接部(50)的步骤包括使用在所述一个方向上供给升华物的升华法在第一后侧表面(B1)和第二后侧表面(B2)的每个上形成由碳化硅制成的生长层(30)的步骤。

公开(公告)号：CN102741973A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201080045944.0

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 公开了一种碳化硅衬底(1)，其即使在由除了碳化硅之外的材料制成的不同类型材料层的情况下也实现抑制翘曲，该碳化硅衬底(1)包括：由碳化硅制成的基础层(10)；以及当在平面视图中看时并排地布置在基础层(10)上并且每个均由单晶碳化硅制成的多个SiC层(20)。间隙(60)形成在相邻的SiC层(20)的端表面(20B)之间。

公开(公告)号：CN102598213A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201180004456.X

申请日：2011-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井上博挥 ,  原田真 ,  佐佐木信 ,  西口太郎 ,  冲田恭子 ,  并川靖生

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/7602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 执行准备堆叠体（TX）的步骤，将第一单晶衬底组（10a）中的每个单晶衬底和第一基本衬底（30a）安置成彼此面对面，将第二单晶衬底组（10b）中的每个单晶衬底和第二基本衬底（30b）安置成彼此面对面，并且在一个方向上按顺序堆叠第一单晶衬底组（10a）、第一基本衬底（30a）、插入部（60X）、第二单晶衬底组（10b）和第二基本衬底（30b）。接下来，加热堆叠体（TX），使堆叠体（TX）的温度达到碳化硅能够升华的温度，以在堆叠体（TX）中形成其温度在所述方向上逐渐增加的温度梯度。通过这种方式，可以高效地制造碳化硅衬底（81）。

公开(公告)号：CN102484044A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003376.2

申请日：2011-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  原田真 ,  井上博挥 ,  佐佐木信

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B23/066 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种制造碳化硅衬底的方法，其能够降低使用碳化硅衬底的半导体器件的制造成本。所述过程包括如下步骤：提供包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；将SiC衬底(20)放置在容器(70)中，并且将基底衬底(10)放置在容器(70)中，使得基底衬底(10)面对所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)；以及将在容器(70)中所述基底衬底(10)加热至大于或等于构成所述基底衬底(10)的碳化硅的升华温度的温度范围，以由此形成包括碳化硅的基底层(10)，使得基底衬底(10)接触所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)。在形成基底层(10)的步骤中，与所述SiC衬底(20)和所述基底衬底(10)不同的、包括含有硅的物质的硅产生源(91)放置在所述容器(70)中。

公开(公告)号：CN102471928A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080025658.8

申请日：2010-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西口太郎 ,  佐佐木信 ,  原田真 ,  冲田恭子 ,  井上博挥 ,  并川靖生

IPC: C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/025 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1608

Abstract: 由碳化硅制成的支撑部(30c)在其主面(FO)的至少一部分上具有凹凸起伏。堆叠支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得由碳化硅制成的至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)和具有形成的凹凸起伏的支撑部(30c)的主面(FO)彼此接触。为了接合至少一个单晶衬底(11)中的每个的背面(B1)与支撑部(30c)，加热支撑部(30c)和至少一个单晶衬底(11)，使得支撑部(30c)的温度超过碳化硅的升华温度，并且至少一个单晶衬底(11)中的每个的温度低于上述支撑部(30c)的温度。

公开(公告)号：CN102422425A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020696.4

申请日：2010-04-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子 ,  西口太郎 ,  佐佐木信 ,  藤原伸介 ,  并川靖生

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明公开了一种IGBT(100)，其为能降低导通电阻并同时抑制缺陷产生的垂直型IGBT，且包含：碳化硅衬底(1)、漂移层(3)、阱区(4)、n+区(5)、发射极接触电极(92)、栅氧化物膜(91)、栅极(93)以及集电极(96)。所述碳化硅衬底(1)包含：由碳化硅制成并具有p型导电性的基础层(10)；和由单晶碳化硅制成并布置在所述基础层(10)上的SiC层(20)。所述基础层(10)具有超过1×1018cm-3的p型杂质浓度。