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公开(公告)号：CN116565013A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310227566.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了自旋场效应晶体管及其制备方法，晶体管的沟道材料使用由二维过渡金属硫族化合物与低自旋轨道耦合(SOC)的半导体材料构成的II型半导体异质结。晶体管的源极采用非磁性金属形成欧姆接触，漏极采用铁磁金属/超薄介质材料构成磁性隧穿电极，而栅极采用包含非磁金属/栅绝缘层的金属‑氧化物‑半导体结构。通过圆偏振光照射半导体沟道，在TMDC导带中产生高自旋极化率的电子，并通过异质结界面迁移到低SOC半导体层中。在自旋输运过程中，自旋极化方向受到栅极电压的调制，并通过漏极检测自旋方向，使器件呈现不同的电阻状态。本发明还提供了上述异质结的制备方法。
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公开(公告)号：CN111048641B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201911044450.X
申请日：2019-10-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。
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公开(公告)号：CN111029449B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN112117356A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN108767107B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108707875B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810541023.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN108878547A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高外量子效率的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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公开(公告)号：CN108732791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III-VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III-VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III-VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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公开(公告)号：CN108682703A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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