公开(公告)号：CN100394580C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610003592.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  吴志达 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林文钦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。

公开(公告)号：CN107452595B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201710293157.1

申请日：2017-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  陈志明 ,  陈汉誉 ,  王嗣裕 ,  赵兰璘 ,  蔡正原

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。

公开(公告)号：CN103378109B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210272395.1

申请日：2012-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  陈思莹 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。

公开(公告)号：CN103515401B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210553121.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。

公开(公告)号：CN103531492B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210382930.9

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  林诗玮 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/74 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80136 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83889 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。

公开(公告)号：CN102530851B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110082943.X

申请日：2011-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  朱立晟 ,  林宏桦 ,  蔡尚颖 ,  谢元智 ,  彭荣辉 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄 ,  郑钧文

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/20 ,  B32B2255/24 ,  B32B2307/746 ,  B32B2457/00 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/112 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12986

Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。

公开(公告)号：CN103245612B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201210194919.X

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏桦 ,  朱立晟 ,  吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: G01N21/01 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01N21/55 ,  G01N21/01 ,  G01N21/253 ,  G01N27/327 ,  G01N33/483 ,  G01N2021/0106 ,  G01N2201/0636

Abstract: 一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。

公开(公告)号：CN103794584A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310046609.8

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  陈思莹 ,  王铨中 ,  黄志辉 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/059 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。

公开(公告)号：CN103707177A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310020037.6

申请日：2013-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信华 ,  刘丙寅 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: B24B37/11

CPC classification number: B24D7/18 ,  B24B1/04 ,  B24B9/065 ,  B24B37/11

Abstract: 本发明提供了一种用于晶圆边缘修整的研磨轮，包括：具有开口侧的头部以及环绕所述头部的开口侧的边缘接合的研磨端。所述研磨端被布置成在所述晶圆边缘修整期间具有环绕晶圆边缘的多个同步触点。

公开(公告)号：CN103245612A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210194919.X

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏桦 ,  朱立晟 ,  吴铭栋 ,  谢元智 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC: G01N21/01 ,  G01N27/00

CPC classification number: G01N21/55 ,  G01N21/01 ,  G01N21/253 ,  G01N27/327 ,  G01N33/483 ,  G01N2021/0106 ,  G01N2201/0636

Abstract: 一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。