公开(公告)号：CN102472973A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080036302.4

申请日：2010-08-11

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  西卷裕和 ,  境田康志 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明要提供兼有耐热性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层膜。提供了含有脂环式环氧聚合物(A)与稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)的反应生成物(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。上述脂环式环氧聚合物(A)具有下述式(1)：(T表示聚合物主链中的具有脂肪族环的重复结构单元，E表示环氧基或具有环氧基的有机基团。)所示的重复结构单元。此外，上述稠环式芳香族羧酸和单环式芳香族羧酸(B)中含有稠环式芳香族羧酸(B1)和单环式芳香族羧酸(B2)，它们的摩尔比为B1∶B2＝3∶7～7∶3的比例。进而上述稠环式芳香族羧酸(B1)是9-蒽甲酸，上述单环式芳香族羧酸(B2)是苯甲酸。

公开(公告)号：CN101541880B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200780044045.7

申请日：2007-11-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂口崇洋 ,  榎本智之 ,  新城彻也

IPC: C08L25/00 ,  C08F212/32 ,  C08F226/12 ,  C08F232/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F226/12 ,  C09D125/02 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/08

Abstract: 为了防止随着抗蚀剂图案微细化而抗蚀剂图案在显影之后倒塌，本发明提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物适用于利用薄膜抗蚀剂的多层膜工艺，且干蚀刻速度小于抗蚀剂、半导体基板，并在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。本发明还提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，在利用含有下述聚合物的多层膜的光刻工艺中使用，所述聚合物含有具有芳香族稠环的结构单元、具有被保护的羧基的结构单元、具有含氧环的结构单元，并提供使用该形成抗蚀剂下层膜的组合物的形成图案的方法、以及使用形成图案的方法的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101541880A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780044045.7

申请日：2007-11-27

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂口崇洋 ,  榎本智之 ,  新城彻也

IPC: C08L25/00 ,  C08F212/32 ,  C08F226/12 ,  C08F232/08 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08F226/12 ,  C09D125/02 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/08

Abstract: 为了防止随着抗蚀剂图案微细化而抗蚀剂图案在显影之后倒塌，本发明提供一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，该形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物适用于利用薄膜抗蚀剂的多层膜工艺，且干蚀刻速度小于抗蚀剂、半导体基板，并在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。本发明还提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，在利用含有下述聚合物的多层膜的光刻工艺中使用，所述聚合物含有具有芳香族稠环的结构单元、具有被保护的羧基的结构单元、具有含氧环的结构单元，并提供使用该形成抗蚀剂下层膜的组合物的形成图案的方法、以及使用形成图案的方法的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101506736A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031573.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  新城彻也 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

公开(公告)号：CN1875324A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031792.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  境田康志 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种光刻用下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有至少50％的羟基成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN104508558B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380040983.5

申请日：2013-08-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。

公开(公告)号：CN105143979A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480021117.6

申请日：2014-04-01

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G61/02 ,  C08G61/124 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  G03F7/091

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。

公开(公告)号：CN102803324B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080027274.X

申请日：2010-06-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  奥山博明 ,  武藏秀树 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐

IPC: C08G16/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  C08G61/12 ,  C08G73/0273 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/344 ,  C08L61/26 ,  C08L79/02 ,  C08L79/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题在于提供用于半导体器件的制造的光刻工序的具有耐热性的抗蚀剂下层膜和电子构件中使用的具有透明性的高折射率膜。本发明提供了一种聚合物，其含有下式(1)所示的结构单元，式(1)式(1)中，R1、R2、R3和R5分别表示氢原子，R4表示苯基或萘基。还提供含有上述聚合物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，以及由其形成的抗蚀剂下层膜。还提供含有上述聚合物的形成高折射率膜的组合物和由其形成的高折射率膜。

公开(公告)号：CN104838315A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380065075.1

申请日：2013-12-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  柄泽凉 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C09D161/12 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0277 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/31942

Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。

公开(公告)号：CN104185816A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380015579.2

申请日：2013-03-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  坂本力丸 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26

CPC classification number: H01L21/0271 ,  C08G12/26 ,  C08G12/40 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2059 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。