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公开(公告)号：CN117957636A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060963.3
申请日：2022-09-06
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 贾丝明·林 , 阿南德·查德拉什卡 , 刘钢 , 张星 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC: H01L21/285 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/768 , H10B12/00 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 本文中提出用于包括特征填充处理的半导体处理的系统及方法。所述方法包括：在室中提供衬底，所述衬底具有待填充金属的特征；以及使金属前体和还原剂流动至所述室中，以在化学气相沉积(CVD)操作中在所述特征中沉积金属，其中所述CVD操作包括渐减阶段，在所述渐减阶段中进入所述室中的所述金属前体的流率从第一流率渐减至第二流率；或渐增阶段，在所述渐增阶段中进入所述室的所述金属前体的流率从第一流率渐增至第二流率。
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公开(公告)号：CN115210404A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180019084.1
申请日：2021-03-03
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/54 , H01L21/285
Abstract: 本发明提供了将气体反应物输送到处理室的方法和相关装置。
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公开(公告)号：CN114600233A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080073650.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/52
Abstract: 在特征填充期间减轻线弯曲的方法包括在填充期间沉积非晶层和/或抑制处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594017A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110637340.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
IPC: H01J37/32 , H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/08 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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公开(公告)号：CN113380695A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110431456.3
申请日：2016-08-08
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及用于增强钨沉积填充的钨的原子层蚀刻。本发明提供了使用沉积‑蚀刻‑沉积工艺将钨沉积到高深宽比的特征中的方法，该工艺整合了多种沉积技术与在蚀刻期间交替的表面改性的脉冲和去除的脉冲。
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公开(公告)号：CN110459503A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910729470.4
申请日：2015-09-30
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3-D集成。
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公开(公告)号：CN109216205A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810708233.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及氮化钨阻挡层沉积，具体提供了氮化钨(WN)沉积的方法。还提供了用于钨(W)触点与锗化硅(SiGe)层的叠层以及用于形成它们的方法。叠层包括SiGe/硅化钨(WSix)/WN/W层，其中WSix提供SiGe和WN层之间的欧姆接触。还提供了在使用六氟化钨(WF6)沉积含W膜中减少氟(F)对下层的侵蚀的方法。还提供了执行这些方法的装置。
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公开(公告)号：CN108461374A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201711372325.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 王德琪 , 刘刚 , 阿南德·查德拉什卡 , 杨宗翰 , 约翰·W·格里斯沃尔德
CPC classification number: H01L21/76879 , C23C16/08 , C23C16/4554 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01L21/28562 , H01L21/67161 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。晶片内均匀性和晶片间均匀性得到改善。
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