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公开(公告)号：CN101568971B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供能够在三个以上的能够判别的状态再现性较好地写入，并且各个状态是十分稳定的状态，使作为多值的非易失性存储元件稳定地动作的非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
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公开(公告)号：CN101836296B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN101548335B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880000864.6
申请日：2008-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2211/5623 , G11C2213/15 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , G11C2216/22
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置，其包括：包含多个具有电阻值由于施加电脉冲而变化的特性的非易失性存储元件的多个存储器单元阵列(136、146)；和用于在相对于上述多个存储器单元阵列写入数据时，相对于某存储器单元阵列进行写入，与此同时，相对于其它存储器单元阵列进行读出的控制部(102、104、108、110、114、128、130、152)。
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公开(公告)号：CN101897024B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
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公开(公告)号：CN102099863A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080001956.3
申请日：2010-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种能够使电阻变化元件的动作窗口最大化的电阻变化元件的适当的写入方法。该写入方法是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，包括准备步骤(S50)和写入步骤(S51、S51a、S51b)；在准备步骤(S50)中，通过一边对电阻变化元件施加电压逐渐变大的电压脉冲一边测量电阻变化元件的电阻值，决定高电阻化开始的第1电压V1以及电阻值为最大的第2电压V2；在高电阻化步骤(S51a)中，通过对电阻变化元件施加具有第1电压V1以上且第2电压V2以下的电压Vp的电压脉冲，使电阻变化元件从低电阻状态(S52)转变为高电阻状态(S53)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101568971A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001228.5
申请日：2008-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C7/1006 , G11C13/0007 , G11C2013/0076 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和非易失性半导体存储装置以及它们的读出方法和写入方法。非易失性存储元件(101)中，设置在第一电极(111)和第二电极(113)之间的可变电阻层(112)以包含4族、5族、或6族的金属元件的氧化物的方式构成，在特定的电压的电脉冲被施加在第一电极(111)与第二电极(113)之间的情况下，得到其电阻值为高电阻值RH的第一高电阻状态和第二高电阻状态，以及其电阻值为低电阻值RL的低电阻状态中的某一种状态。
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公开(公告)号：CN101548336A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN103052992B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201280001208.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , G11C2213/72
Abstract: 提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。
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公开(公告)号：CN103339682B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280007370.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/00 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038
Abstract: 读出放大器电路(7)具有潜行电流补偿用负载电流供给部(8)，对由列选择电路(6)所选择的位线(4)选择性地切换电流量不同的负载电流并供给，在流入列选择电路(6)所选择的位线(4)的电流量比标准电流量多的情况下，输出‘L’电平，在比标准电流量少的情况下，输出‘H’电平。控制电路(18)在选择了规定的存储器单元(2)的状态下，在对规定的存储器单元(2)施加成形之前，按照如下方式控制写入电路(15)：将负载电流的电流量调整为使读出放大器电路(7)的输出为‘H’电平的规定的电流量之后，供给规定的电流量的负载电流，并且对规定的存储器单元(2)施加成形脉冲直到读出放大器电路(7)的输出变为‘L’电平为止。
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公开(公告)号：CN103222004B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201280003594.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088
Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的其他的一部分、或补偿单元部（252））所构成的存储单元阵列中，在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下，字线用写入电路（1502）对选择字线供给第一电压或第一电流，并且第一位线用写入电路（1503）对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时，第二位线用写入电路（1504）对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。
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