公开(公告)号：CN114302789A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202080060537.0

申请日：2020-08-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  木下将毅

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12 ,  B24B51/00 ,  B24B53/12 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明关于一种一边通过分析来自研磨垫上的基板的反射光来检测基板的膜厚，一边研磨该基板的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨台(3)，其支承具有通孔(61)的研磨垫(2)；垫高度测定装置(32)，其测定研磨面(2a)的高度；纯水供给管线(63)及纯水吸引管线(64)，其连结于通孔(61)；流量调节装置(71)，其连接于纯水供给管线(63)；及动作控制部(35)，其控制流量调节装置(71)的动作。动作控制部(35)根据相关数据决定与研磨面(2a)的高度的测定值对应的纯水的流量，并以控制流量调节装置(71)的动作，以使纯水以决定的流量在纯水供给管线(63)中流动。

公开(公告)号：CN106256016B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201580020452.9

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN104669107B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410708369.8

申请日：2014-11-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  高桥信行 ,  丸山彻 ,  作川卓 ,  锅谷治

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供能够稳定地控制顶环的压力室内的压力的研磨装置。研磨装置具备用于支承研磨垫的能够旋转的研磨工作台(1)、具有用于将基板按压于研磨垫(1)的压力室(10)的能够旋转的顶环(5)、控制压力室(10)内的气体的压力的压力调节器(15)、及设于压力室(10)与压力调节器(15)之间的缓冲罐(40)。压力调节器(15)具备压力控制阀(16)、测量该压力控制阀(16)的下游侧的气体的压力的压力计(17)、及以使压力室(10)内的压力的目标值与由该压力计测量出的压力值的差最小的方式控制压力控制阀(16)的动作的阀控制部(25)。

公开(公告)号：CN104858785B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510080294.8

申请日：2015-02-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 丸山徹 ,  高桥信行

IPC: B24B53/017 ,  B24B53/095

Abstract: 本发明提供一种能够通过在监控研磨垫的表面粗糙度，且控制研磨垫的温度的同时进行修饰，来高效地完成用于获得最佳研磨率的研磨垫的表面粗糙度的修整方法及装置。在研磨垫(2)的修饰中，测定由算数平均粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rq)、粗糙度曲线的最大低点深度(Rv)、粗糙度曲线的最大顶点高度(Rp)及最大高度粗糙度(Rz)这5个指标中至少1个指标所表示的研磨垫的表面粗糙度，对测出的表面粗糙度与预设的目标表面粗糙度进行比较，基于比较结果而对研磨垫(2)进行加热或冷却，由此调整研磨垫(2)的表面温度。

公开(公告)号：CN107186612A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710142830.1

申请日：2017-03-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  渡边和英 ,  安田穗积 ,  八木裕治 ,  高桥信行 ,  武田晃一

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10 ,  B24B37/20 ,  B24B37/30 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  B24B37/20 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B49/12 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。

公开(公告)号：CN103567852A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310312547.0

申请日：2013-07-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  丸山徹

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10

CPC classification number: B24B37/345 ,  B24B7/228 ,  B24B37/005 ,  Y10T137/7761

Abstract: 一种压力控制装置、具有该压力控制装置的研磨装置及研磨方法一种压力控制装置，具有：对由流体供给源供给的流体压力进行调整的压力调整阀；对由压力调整阀调整后的压力进行测定的第一压力传感器；配置在第一压力传感器下游侧的第二压力传感器；PID控制部，其生成用于消除压力指令值与由第二压力传感器测定的流体的压力值之差的补正压力指令值；以及调节器控制部，其将压力调整阀的动作控制成使补正压力指令值与由第一压力传感器测定的流体的压力值之差消除。采用本发明，能消除压力传感器的温度漂移等所引起的压力测定值的误差，能高精度调整流体的压力。

公开(公告)号：CN101390197A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200780006392.0

申请日：2007-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥信行 ,  西田弘明 ,  鸟居弘臣 ,  矶部壮一 ,  曾根忠一 ,  小菅隆一 ,  金子浩之 ,  外崎宏 ,  三仓崇夫 ,  小川贵弘 ,  杉田谦一

IPC: H01L21/304 ,  B65G49/07 ,  B24B37/04 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明涉及一种能够提高基板处理工序的生产节拍时间的基板处理装置。作为基板处理装置的研磨装置具有：对半导体晶片(W)进行研磨的多个研磨部(3a、3b)；和搬运晶片(W)的摆动传送装置(7)。摆动传送装置(7)具有：把持晶片(W)的晶片把持机构(112)；使晶片把持机构(112)沿着研磨部(3a)的框体的框架(102)上下移动的上下移动机构(104、106)；以及，以与框架(102)邻接的轴为中心使晶片把持机构(112)转动的转动机构(108、110)。