-
公开(公告)号：CN111403592B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202010258491.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H10N30/50 , H10N30/072
Abstract: 本申请提供一种非线性光学用基板及其制备方法，本申请提供的制备非线性光学用基板的方法仅采用可在常温下进行的键合工艺，工艺难度低，而不涉及施加外加电压，从而有效避免由于施加高压电场而导致的击穿风险，并且，本申请提供的方法也不涉及表面镀电极或者光刻等处理工艺，能够有效避免由于表面镀电极而造成的非线性光学用基板表面质量变差的问题；利用本申请提供的方法制备的非线性光学用基板，包括多层叠加键合的压电单晶层1，相邻两层压电单晶层1的极化方向相反，其具有完全贯穿的垂直电畴壁，并且，极化周期以及周期数量灵活可控，由于不受表面电极以及矫顽电场的影响，PPLN的总厚度可以大大提高。
-
公开(公告)号：CN116669523A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310771788.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H10N15/10
Abstract: 本发明公开了一种热释电复合薄膜的制备方法，具体为向薄膜晶圆的一面依次注入剥离气体离子和导电金属离子，使薄膜晶圆中依次形成薄膜层、损伤层和余质层；使薄膜晶圆注入片的薄膜层与衬底晶圆的隔离层键合，得到键合体；对键合体进行热处理，损伤层中剥离离子形成气泡分离层将薄膜晶圆分离成两部分，带有薄膜层的衬底晶圆即为热释电复合薄膜。本发明通过先注入剥离离子、再向损伤层中注入导电金属离子形成薄膜层、损伤层和余质层，在离子注入和热处理的作用下，剥离离子在损伤层形成分离气泡层，使得薄膜晶圆断裂，导电金属离子使薄膜层两侧的正负电荷抵消，减小了热释电效益，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。
-
公开(公告)号：CN116230492A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211585277.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本申请实施例提供的一种超平复合薄膜及其制备方法，将基于离子注入法制备的单晶注入片和衬底晶圆键合，形成键合体，然后对键合体进行退火处理，使单晶注入片的薄膜层转移至衬底晶圆上，然后对薄膜层依次进行湿法腐蚀和抛光处理。未进行离子注入的单晶晶圆无法进行腐蚀，只有通过离子注入后才可以实现腐蚀，本发明采用湿法腐蚀后，薄膜层的均匀性好，但是粗糙度不高，所以又采用了抛光处理，抛光是为了改善薄膜层的粗糙度，采用腐蚀和抛光一起处理可以使得复合薄膜的薄膜层的TTV从±30‑40nm左右降低至±10nm左右，可以获得厚度均匀性好的超平晶片。
-
公开(公告)号：CN111965755B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010887010.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供的一种加载条型光波导集成结构及其制备方法，包括依次层叠的衬底层、隔离层、光调制层和功能薄膜层；光调制层包括加载条型掺杂光波导，以及包覆加载条型掺杂光波导的波导包层，其中，加载条型掺杂光波导为掺杂重质量离子的无机材料A，波导包层为无掺杂无机材料B，加载条型掺杂光波导与波导包层的折射率差大于等于0.01；其中，加载条型掺杂光波导的底表面与波导包层的底表面在同一水平面，加载条型掺杂光波导的顶表面与波导包层的顶表面在同一水平面。光调制层位于功能薄膜层与隔离层之间，一方面，不会增加驱动电压；另一方面，光信号能够被折射率小的波导包层限制在折射率大的加载条型掺杂光波导和功能薄膜层中传输。
-
公开(公告)号：CN113219681B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010071916.1
申请日：2020-01-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 公开了一种光波导集成器件，所述光波导集成器件可以包括：衬底；第一隔离层，位于衬底上；光波导构件，至少部分地嵌入第一隔离层中并与衬底分隔开；过渡层，设置在第一隔离层和光波导构件上；以及光调制层，设置在过渡层上并且与光波导构件的顶表面叠置。过渡层的位于光调制层与第一隔离层之间的部分和过渡层的位于光调制层与光波导构件之间的部分可以具有不同的成分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381297B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010158416.1
申请日：2020-03-09
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种集成光学复合基板，所述集成光学复合基板包括：垂直腔面发射激光器(1)以及覆盖于所述垂直腔面发射激光器顶面上的光调制层(2)，在所述垂直腔面发射激光器(1)的顶部开设贯穿顶面的出光孔(3)，在所述出光孔(3)内填充有光传输层(4)，其中，由所述垂直腔面发射激光器(1)出射的光在光调制层(2)中入射角的角度为目标预设角度，从而直接在光调制层内对入射光进行调制，进而免于增加额外光学器件，降低光学系统的复杂程度，提高光利用率，减小光学系统的体积。
-
公开(公告)号：CN112764244B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110103546.X
申请日：2021-01-26
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子；在电光晶体基片工艺面制备与光波导结构相同的掩模；由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内刻蚀，电光晶体基片内刻蚀后剩余的掺杂有重质量离子部分为光波导；填充电光晶体基片工艺面内被刻蚀掉区域，填充材料的折射率小于光波导的折射率，其中，填充于光波导间隙内的填充材料形成波导包覆层，由于在对电光晶体薄膜基片进行刻蚀处理之前，预先在电光晶体薄膜基片进行掺杂处理，使电光晶体薄膜基片内形成晶格损伤，从而可以提高刻蚀效率，避免了直接对电光晶体薄膜基片刻蚀处理会影响电光晶体薄膜层性能的问题。
-
公开(公告)号：CN111983825B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010889148.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: G02F1/03
Abstract: 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层；功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率，其中，补偿层为掺杂无机材料，掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子，轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料，掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子，重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式，提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜，使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
-
公开(公告)号：CN113540338A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010315141.8
申请日：2020-04-21
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
IPC: H01L41/18 , H01L41/311 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02 , H03H9/64
Abstract: 本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法，压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层，其中，低声阻层中掺有一定含量的氯离子，氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中，加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子，形成中性的氯化物，避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响，保证声表面波滤波器的稳定性。
-
公开(公告)号：CN113534336A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010311501.7
申请日：2020-04-20
Applicant: 济南晶正电子科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种复合薄膜结构及其制备方法，及电子元器件，复合薄膜结构包括衬底层，形成在所述衬底层顶表面上的第一复合隔离层，及形成在所述第一复合隔离层上的至少两个薄膜层；相邻两个薄膜层之间设有第二隔离层；所述第一复合隔离层包括至少两个堆叠的子隔离层；其中，所述薄膜层用于传输信号，所述第一复合隔离层和所述第二隔离层用于防止信号泄露。在衬底层与第一薄膜层之间设置具有至少两个堆叠的子隔离层的第一复合隔离层。相比于现有技术中，只采用单层隔离层的方式，第一复合隔离层能够将第一薄膜层传输的信号隔离，防止信号泄露到衬底层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
187
records
(took 0.119 seconds)
