公开(公告)号：CN1087466C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN96111259.X

申请日：1996-08-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 金子正彦 ,  荒谷胜久 ,  中冲有克

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/24 ,  G11B7/256 ,  G11B7/258

Abstract: 本发明提供一种多层光盘，其中，第一和第二信息存储层在一基片上顺序地成膜，记录在第一和第二信息存储层的信息通过由基片一侧照射的读取光被再现，第一和第二信息存储层可通过第一读取光和波长小于第一读取光的第二读取光再现，并且第一信息存储层由这样的材料制成，其折射率n和衰减系数k在第一读取光波长区域满足下列条件：0≤k≤0.25，n＝α-k+2.8(这里α为一常数且0.15≤α≤0.45)。

公开(公告)号：CN1280387A

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN00120493.9

申请日：2000-07-12

Applicant: 索尼株式会社 ,  古屋金属株式会社

Inventor： 上野崇 ,  荒谷胜久

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01B1/02

CPC classification number: G02F1/133553 ,  C22C5/06 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53247 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/09 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于电子部件的金属材料,电子部件,电子设备,金属材料的处理方法以及电光学部件。例如,本发明适用于液晶显示板,各种半导体元件,布线板,芯片部件等。本发明提出一种以具有比现有材料更低的电阻率,更高的稳定性和更优异的可处理性为特征为金属材料。本发明也提出使用所述金属材料的电子部件和电子设备。一种可应用的金属材料是含有作为主要组元的Ag,0.1—3重量%Pd和总量为0.1—3重量%的元素如Al的合金。

公开(公告)号：CN101145600B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200710163092.5

申请日：2004-03-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  石田实

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。

公开(公告)号：CN1697195B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200410094244.7

申请日：2004-11-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  前坂明弘 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。

公开(公告)号：CN100541654C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200610121391.8

申请日：2006-07-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 八野英生 ,  冈崎信道 ,  荒谷胜久

IPC: G11C11/21

CPC classification number: H01L27/2472 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

Abstract: 为了解决高速驱动的困难性，本发明提供一种存储器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括具有存储层和夹着存储层的第一和第二电极的存储元件，多个存储单元被划分为m列乘以n行的存储块(m和n都是不小于1的整数，m+n≥3)，同一存储块中的存储元件具有由存储元件所共有的单个层形成的第一电极；以及电压施加装置，其向存储块的第一电极施加任一电压。本发明中，通过将单个极板拆分以形成分立极板并且彼此独立地向相应分立极板施加电压而能够提高驱动速度，且很容易地执行构图。

公开(公告)号：CN100380485C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN03801799.7

申请日：2003-09-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 河内山彰 ,  荒谷胜久

IPC: G11B7/26 ,  G03F7/004

CPC classification number: G11B7/261 ,  Y10S425/81 ,  Y10T428/24802

Abstract: 一种光盘用原盘的制造方法和一种光盘的制造方法，该方法通过使用现有曝光系统，能够实现光盘的较高存储容量。制造光盘的方法的特征在于：使用形成有特定非均匀图案的原盘，所述图案是通过下列步骤形成的。在基片上形成抗蚀层，该抗蚀层由包含诸如W和Mo的过渡金属的不完全氧化物的抗蚀材料组成，不完全氧化物具有小于根据能够为过渡金属所拥有的化合价的理论配比成分的氧含量的氧含量，然后根据记录信号图案，使用激光束选择性曝光和显影抗蚀层，然后将非均匀图案传递到光盘上。

公开(公告)号：CN1989619A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580024194.8

申请日：2005-07-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 荒谷胜久 ,  对马朋人 ,  成泽浩亮 ,  大塚涉 ,  八野英生

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1675

Abstract: 提供了一种其构造能够容易以高密度制造的存储元件。该存储元件包括两个电极(1、4)之间的记录层(2、3)，且向两个电极(1、4)施加不同极性的电势，从而由电阻变化元件(10)构造存储单元，用于可逆地改变记录层(2、3)的电阻值。在多个相邻的存储单元中，至少一部分构成电阻变化元件(10)的记录层的层(2、3)是由相同层共同形成的。

公开(公告)号：CN1700321A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510068926.5

申请日：2005-04-27

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐飞裕一 ,  小山田光明 ,  荒谷胜久

IPC: G11B7/24

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/025 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/20 ,  G11B7/243 ,  G11B7/257 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  Y10T428/21

Abstract: 一次写入光记录介质包括基底，其上形成组成无机记录膜的氧化物膜3，该氧化物膜3由锗(Ge)的氧化物Ge1Ox(x为原子数量比)的记录物质制成，且特定化氧化物膜的Ge1Ox的组成以满足1.0＜x＜2.0。一次写入光记录介质的记录和复制特性可被改善且该一次写入光记录介质的排列可简化。

公开(公告)号：CN1692418A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100324.2

申请日：2003-12-24

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 甲斐慎一 ,  荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  中川谦三 ,  竹本祯广

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/261 ,  Y10S425/81

Abstract: 制造生产光盘的母盘的方法包括：曝光过程，其中以记录激光辐射形成在衬底100上的无机抗蚀剂层101，通过对应于光盘上信息凹形和凸形图形的信息信号的信息信号调制该记录激光；以及之后的显影过程，其中在无机抗蚀剂层上执行显影处理以形成对应于无机抗蚀剂层的信息凹形和凸形图形的凹形和凸形图形；在曝光过程中，在抗蚀剂层的非记录区上执行试验曝光后，使评估激光辐射曝光部分，从反射光中评估抗蚀剂层的记录信号特征以基于评估结果确定记录激光的最佳焦点位置；因此从在抗蚀剂上的曝光部分的记录特征中预测并评估光盘的记录信号的特征(跳动值)以基于评估结果调节曝光聚焦位置，由此可制造具有适当凹形和凸形图形的母盘以及具有良好特征的光盘。

公开(公告)号：CN1664957A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510052645.0

申请日：2005-03-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 石田实 ,  荒谷胜久 ,  河内山彰 ,  对马朋人

IPC: G11C11/409 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79

Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。