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公开(公告)号：CN102197335A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142715.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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公开(公告)号：CN1901054B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200610101952.8
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜用于光学信息记录介质并包含作为主成分的Ag、总共1-10原子％的选自Nd、Gd、Y、Sm、La和Ce中的至少一种，以及总共2-10原子％的选自Li、Mg、Al、Zn、Cu、Pt、Au、Pd、Ru和Rh中的至少一种。反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种和/或2-10原子％的选自In、Sn和Pb中的至少一种。一种光学信息记录介质包括该银合金反射膜。一种银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN101542696A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge 0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN100339900C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410090068.X
申请日：2004-11-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供(1)光信息记录用铝合金反射膜，以Al为主成分，含有1.0～10.0原子数量%的稀土类元素中的至少1种，此外，含有0.5～5.0原子数量%的Cr、Ta、Ti、Mo、V、W、Zr、Hf、Nb、Ni中的至少1种，(2)在上述铝合金反射膜中，含有1.0～5.0原子数量%的Fe、Co中的至少1种，或含有1.0～10.0原子数量%的In、Zn、Ge、Cu、Li中的至少1种，(3)光信息记录介质，具有上述铝合金反射膜，(4)所述铝合金构成的溅射靶材。根据本发明可以实现具有低导热率、低熔化温度、高耐腐蚀性的与激光标记对应的光信息记录用铝合金反射膜及其形成用溅射靶材、光信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1315003C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200310123124.0
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/136 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , C23C14/185 , C23C14/3414 , G02F1/133553 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L2924/0002 , Y10T428/12 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件用以下部分构成：由金属氧化物构成的第一电极；与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极；这里，在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在，所述铝合金膜，含有0.1～6原子%的从由Au、Ag、Zn、Cu、Ni、Sr、Sm、Ge、Bi构成的一组中选择的至少一种作为合金成分。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1280446C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN1256461C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03127461.7
申请日：2003-08-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C22C1/002 , C22C5/08 , C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23C14/584 , G02B5/0808 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/10 , Y10T428/1059 , Y10T428/1095 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12896 , Y10T428/12924 , Y10T428/21 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10%(指原子%)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1624176A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at％的Nd、和/或0.01～1.5at％的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at％的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN103348036A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066834.7
申请日：2011-12-20
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C21/00 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22C21/00 , C23C14/3414
Abstract: 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位 ±15°、 ±15°、 ±15°、 ±15°及 ±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的 ±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的 ±15°和 ±15°的合计面积率PB：20%以上。
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