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公开(公告)号：CN110132426A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN107192454B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710565864.1
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28 , G01J3/18 , G01J3/02 , G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于立体相位光栅和孔径分割技术的THz光谱成像仪，所述THz光谱成像仪由前置镜、前置视场光阑、前置准直镜、立体相位光栅、后置会聚镜、后置视场光阑、后置准直镜、子孔径成像镜、探测器、探测器控制处理系统和控制采集处理计算机组成。所述探测器以孔径分割方式同时获取目标场景被立体相位光栅N个元胞所衍射的N个零级衍射光的光强信息，依据立体相位光栅的N个元胞所对应的N个光程差，获得N组光程差与光强的对应关系数据，通过傅里叶变换，实时获取目标的THz谱和像，适用于THz光谱检测、分析等相关领域。
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公开(公告)号：CN106784126A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038641.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115
Abstract: 本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN106374323A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN103852171B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410020977.X
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm–1200nm；第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106048527A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610405808.7
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材，然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片，采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于：1.在室温下完成溅射沉积，实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低，而负温度电阻系数高，有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备，无需高温热处理，耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低，易于与Si基半导体工艺兼容，可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件，大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号：CN103495529B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310469862.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有预退火功能的匀胶机，它包括注胶装置，加热装置，散热装置和匀胶机四部分。注胶装置将手动滴胶过程简化为常闭型水阀的简单开关动作的控制过程，提高了滴胶效率，避免经验化滴胶可能带来的问题。加热装置用于对样品进行加热，实现薄膜的低温预退火功能。散热装置用于为匀胶机内胆降温，并促进加热装置内外的热量和气体交换，排出经加热后逸出的有机物质。匀胶机用于实现薄膜制备时的甩胶操作。本发明装置可将溶胶-凝胶法的滴胶-甩胶-低温预退火制备薄膜的实验流程，简化为多次重复滴胶-甩胶-低温预退火后使用快速退火炉集中高温热处理制备薄膜的实验流程，缩短制膜时间，大幅提高了制膜效率。
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公开(公告)号：CN102544221B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210019094.8
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。
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公开(公告)号：CN102732848B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210211532.0
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种磁控溅射制备单一取向锰钴镍氧薄膜的方法，应用该法，可制备出大面积、致密性良好的MCN薄膜。相比溶胶-凝胶法制备的多晶MCN薄膜，该法参数控制更精确，制备出的薄膜致密度更高，且薄膜呈（110）高度择优取向。利用该法制作的MCN薄膜，可用于制造线列及面阵热敏探测器件，以及制作微桥结构和顶底电极结构热敏探测器件。
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公开(公告)号：CN102354897B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110252744.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种外部二次级联差频太赫兹光源发生装置及实现方法，它首先利用1064nm主泵浦激光与其自倍频532nm激光泵浦的双波长谐振腔产生的两路近简并点双波长激光分别进行差频，产生两路高功率的8-18μm范围内的中红外激光，然后将这两路中红外激光进行差频来产生高功率的太赫兹波，通过二次级联差频的方式提高了转换效率，并设计合理可行的光学结构，利用计算机进行精准控制，从而实现一种具有功率高，单色性好，调谐范围宽，结构紧凑，可全固态集成的太赫兹光源。
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