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公开(公告)号：CN117334734A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311211483.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有渐变背势垒缓冲层InAlN/GaN高电子迁移率晶体管，从下至上依次包括：衬底(01)、成核层(02)、高阻层(03)、渐变组分有意掺杂层(04)、非有意掺杂高迁移率层(05)、非有意掺杂铟铝氮势垒层(06)以及非有意掺杂盖帽层(07)；所述渐变组分有意掺杂层(04)的材料为AlxGa1‑xN，0≤x≤0.20，x的值沿生长方向向上由0.2线性降低至0；所述非有意掺杂高迁移率层(05)的材料为氮化镓；所述非有意掺杂铟铝氮势垒层(06)的材料为InyAl1‑yN，0.15≤y≤0.20。采用渐变组分有意掺杂层(04)与超薄的非有意掺杂铟铝氮势垒层相结合的方法，缓解了氮化镓基高电子迁移率晶体管在高频下的短沟道效应问题。
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公开(公告)号：CN117081529A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311019962.7
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种体声波器件结构及制作方法，该方法包括：在衬底上采用目标外延方式外延生长得到缓冲层；在缓冲层上采用目标外延方式外延生长得到布拉格反射层；布拉格反射层用于声波反射；在布拉格反射层上采用目标外延方式外延生长得到体声波器件的功能结构；功能结构用于制作体声波器件；利用微加工手段根据功能结构，得到体声波器件。本发明提高了体声波器件的的性能。
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公开(公告)号：CN116190437A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202111435648.8
申请日：2021-11-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L21/02
Abstract: 本公开提供一种提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括：依次叠设的衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、势垒层(5)及介质层(6)；所述势垒层(5)上设有夹着所述介质层(6)的源极(7)及漏极(8)，所述介质层(6)上设有栅极(9)；其中，所述介质层(6)包括叠设的第一介质层(61)与第二介质层(62)，所述第一介质层(61)的材料包括氮化物材料，所述第二介质层(62)的材料包括高k介质材料。
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公开(公告)号：CN109638074B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201811432850.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的横向三明治结构；高迁移率沟道层，位于背势垒缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；欧姆电极，位于盖帽层之上；以及栅极，位于盖帽层之上；其中，p型掺杂区位于栅极所在区域的正下方。该HEMT一方面可以提高对二维电子气的限制作用，减轻短沟道效应的影响，另一方面可以减少二维电子气被掺Fe高阻缓冲层中的深能级陷阱俘获的数量，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN107475691B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710738799.8
申请日：2017-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: C23C16/46
Abstract: 本发明提供了一种基于电磁感应的加热装置。利用在托盘周围放置导磁体，使托盘附近集中了绝大部分的磁力线，从而加热温度更高、加热速度更快；利用托盘中磁力线分布均匀，使温度均匀性更好；利用导磁体能够聚集磁力线、引导磁力线方向、减小磁阻且陶瓷盘将托盘向反应腔室下部辐射的热量反射回托盘，使能量利用效率提高；利用大部分磁力线集中在托盘的周围，使磁力线分布的空间范围减小，因此对装置内其他设备及装置外部环境电磁影响减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107523807B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710728515.7
申请日：2017-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种加热托盘的固定控制装置及其设备。其中，加热托盘的固定控制装置包括：旋转轴；螺旋加热丝，设置于旋转轴外围，与旋转轴之间存在间隔；托盘，位于旋转轴正上方；以及铁磁体，固定于托盘内，位于托盘中央区域。通过在旋转轴外围设置与旋转轴存在间隔并构成电磁铁结构的螺旋加热丝，通过控制螺旋加热丝电流的通断，便可实现对托盘与旋转轴的固定状态控制，结构简单，取放控制方便；同时还可以通过调节螺旋加热丝的电流的大小，实现对托盘中央区域的加热控制，从而满足不同大小的托盘、不同生长温度的需求，可有效改善托盘的温度均匀性。
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公开(公告)号：CN109638074A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811432850.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的横向三明治结构；高迁移率沟道层，位于背势垒缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；欧姆电极，位于盖帽层之上；以及栅极，位于盖帽层之上；其中，p型掺杂区位于栅极所在区域的正下方。该HEMT一方面可以提高对二维电子气的限制作用，减轻短沟道效应的影响，另一方面可以减少二维电子气被掺Fe高阻缓冲层中的深能级陷阱俘获的数量，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN109638066A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811439401.1
申请日：2018-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0611 , H01L29/66431
Abstract: 本发明公开了含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法，其中，该双异质结HEMT，包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；高迁移率沟道层，位于高阻缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；其中，高阻缓冲层包含：故意掺杂层和位于故意掺杂层之上的非故意掺杂组分渐变层，且该非故意掺杂组分渐变层沿着器件外延生长的方向组分渐变减少。该器件一方面提高了沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力、降低器件的缓冲层漏电、以及提高击穿电压和栅调控能力；另一方面，通过利用高阻缓冲层铝镓氮的铝组分渐变，降低晶格应变，减少压电极化，整体提高HEMT器件工作的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108269866A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810091655.2
申请日：2018-01-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/075
Abstract: 本发明提供了一种混合极性InGaN太阳能电池结构，其包括：n型GaN层、i区光吸收层、p型GaN层、分别镀在n型GaN层和p型GaN层表面的金属电极；i区光吸收层位于n型GaN层的上面，p型GaN层位于i区光吸收层的上面；其中，n型GaN层、i区光吸收层的极性为Ga面极性、p型GaN层的极性为N面极性，太阳光由上表面入射到太阳能电池结构。本发明使得极化效应不会阻碍光生载流子的分离和输运，以得到高效的InGaN太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105470294A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510892776.3
申请日：2015-12-08
Applicant: 北京华进创威电子有限公司 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件及其制备方法，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触漏极Drain；肖特基接触栅极Gate。本申请的开关器件具有两个高阻区HR-GaN做为电流阻挡区，电流窗口区g作为垂直的电流通道，可以实现垂直型氮化镓基功率器件，漏极和其它电极（栅极、漏极）不在一个平面上，这样可以避免在材料表面形成高场区，导致表面漏电、表面击穿、虚栅效应引起的电流崩塌等问题；同时，可以减小器件的尺寸，提高晶圆的利用率。
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