公开(公告)号：CN1860652A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200580001179.1

申请日：2005-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水内公典 ,  山本和久 ,  笠澄研一 ,  木户口勋 ,  北冈康夫

IPC: H01S5/02 ,  G02F1/37 ,  H01S3/02 ,  H01S3/109 ,  H01S3/23

CPC classification number: G02B1/18 ,  G02B27/0006 ,  G11B7/121 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/1362 ,  G11B7/1395 ,  H01S3/005 ,  H01S3/0092 ,  H01S3/025 ,  H01S3/0809 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/109 ,  H01S3/2391 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0092 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明的课题是提供一种缓和了被射出的波长的限制的相干光源。本发明的相干光源是同时射出第一光(3)、和波长比所述第一光(3)短的第二光(4)的相干光源，具备：至少射出第一光(3)的光源主体；透过或反射第一光(3)的反射镜(5)；和在反射镜(5)的至少一部分设置的功能性膜(6)。功能性膜(6)通过第二光(4)呈现光催化效果。

公开(公告)号：CN1856915A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200480027878.9

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  岛本敏孝 ,  石桥明彦 ,  木户口勋 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。

公开(公告)号：CN1855649A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510138112.4

申请日：2005-12-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 粂雅博 ,  岛本敏孝 ,  木户口勋 ,  宇野智昭

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/40 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  G11B7/1275 ,  G11B2007/0006 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2(λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。

公开(公告)号：CN1638214A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104664.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  久米雅博 ,  河田敏也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/14

Abstract: 提供一种半导体激光装置，由下至上依次层叠有n型半导体基板、n型金属包层、活性层、p型第1金属包层、电流块层、p型第2金属包层以及p型接触层。在p型接触层上形成p侧欧姆电极，在n型半导体基板的背面上形成n侧欧姆电极。在电流块层上形成在光谐振器方向延伸的条纹、在p型接触层的光谐振器方向的中央部，形成与条纹正交的狭缝。这样，能够防止在安装工序中半导体激光装置内部的变形所引起的动作寿命下降和激光特性恶化，提供可靠性。

公开(公告)号：CN1123064C

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN99801765.5

申请日：1999-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  足立秀人 ,  大西俊一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C14/228 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/357 ,  C23C14/564 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01S5/028

Abstract: 利用电子回旋共振(ECR)等离子体法，让已被等离子体化的反应气体和遭到已被等离子体化的气体的轰击而脱离固体靶(23)的原子或者分子在试样(21)的表面起反应，而在试样(21)的表面上淀积薄膜(27)，这时，先利用已被等离子体化的反应气体对固体靶(23)的表面进行清洗，再淀积出该薄膜(27)。

公开(公告)号：CN1214806A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN97193298.0

申请日：1997-03-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  木户口勋 ,  熊渕康仁

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 一种半导体激光器至少包含一个活性层和一个饱和吸收层,并且饱和吸收层中的压缩应变量被设定得比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。或者,一种半导体激光器至少包含一个活性层、一个饱和吸收层和一个设置在饱和吸收层邻近的导光层;并且饱和吸收层中的压缩应变量比活性层中的压缩应变值大0.3%左右或更多。

公开(公告)号：CN1179860A

公开(公告)日：1998-04-22

申请号：CN96192893.X

申请日：1996-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀人 ,  上山智 ,  木户口勋 ,  上野山雄 ,  万浓正也 ,  福久敏哉

IPC: H01S3/103 ,  H01S3/19 ,  H01S3/025 ,  G11B7/09 ,  G11B7/125 ,  G11B7/135

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/123 ,  G11B7/127 ,  G11B7/131 ,  G11B7/1353 ,  G11B7/22 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/209 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/3218 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。

公开(公告)号：CN101359806B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200810131165.7

申请日：2008-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  佐藤智也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/34326

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。

公开(公告)号：CN101490915B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780026061.3

申请日：2007-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤智也 ,  高山彻 ,  早川功一 ,  木户口勋

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/221 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。

公开(公告)号：CN101582564A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910139065.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高山彻 ,  永井洋希 ,  佐藤仁 ,  佐藤智也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/323 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/32325 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32316 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs类或AlGaAs类的活性层(23)被第1导电型包覆层(22)和有脊(24a)的第2导电型包覆层(24)夹持。当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。