公开(公告)号：CN104160520A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201280049611.4

申请日：2012-09-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤田稔之 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/34 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2933/0091

Abstract: 半导体发光元件（101）具备以非极性面或半极性面为主面的、由包含发出偏振光的活性层（22）的氮化物类半导体构成的半导体层叠结构（20）。半导体发光元件（101）具有设置在横切偏振光的出射路径的位置、包含多个凹部的条纹结构（50），凹部（50b）的延伸方向与偏振光的偏振方向所成角度为0°以上45°以下。多个凹部（50b），该多个凹部（50b）的表面的至少一部分具有比凹部50b的深度浅的微细的凹凸结构（纹理）（51）。

公开(公告)号：CN102484180B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080038204.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN103460411A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201380000993.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明所公开的氮化物半导体发光元件是以非极性面为生长面的发光元件，GaN/InGaN多量子阱有源层（105）包括配置于InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）内的、InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）与GaN势垒层（103）之间的、或GaN势垒层（103）的InyGa1-yN（0＜y＜1）阱层（104）侧的区域的Si掺杂层（110），GaN势垒层（103）的生长方向一侧界面的Si浓度为0或低于Si掺杂层（110）的Si浓度。

公开(公告)号：CN102422391B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201080020617.X

申请日：2010-10-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

公开(公告)号：CN102334204B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080009597.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  岩永顺子 ,  加藤亮 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物系半导体发光元件(31)，具有如下：以m面为主面的n型GaN基板(1)；n型GaN基板(1)之上接触而形成的电流扩散层(7)；在电流扩散层(7)之上形成的n型氮化物半导体层(2)；在n型氮化物半导体层(2)之上形成的活性层(3)；在活性层(3)之上形成的p型氮化物半导体层(4)；与p型氮化物半导体层(4)接触而形成的p侧电极(5)；与n型GaN基板(1)或n型氮化物半导体层(2)接触而形成的n侧电极(6)，其中，n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度为5×1018cm-3以下，并且，电流扩散层(7)的施主杂质浓度是n型氮化物半导体层(2)的施主杂质浓度的10倍以上。

公开(公告)号：CN103053013A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201280002304.0

申请日：2012-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩永顺子 ,  崔成伯 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/205 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/868 ,  H01L33/007

Abstract: 一种半导体层叠基板，半导体层叠基板具备：基板，和具有不同于基板的热膨胀系数、在基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层。各区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，具有不同的热膨胀系数。将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1。并且将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足式1。

公开(公告)号：CN103003963A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035160.4

申请日：2011-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矶崎瑛宏 ,  井上彰 ,  山田笃志 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。

公开(公告)号：CN102007576B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201080001395.7

申请日：2010-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大屋满明 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  矶崎瑛宏

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。

公开(公告)号：CN102484180A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038204.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤亮 ,  吉田俊治 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/205 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其具备n-GaN层(102)、p-GaN层(107)、以及位于n-GaN层(102)和p-GaN层(107)之间的GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)是包括InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)的m面半导体层，该InxGa1-xN(0＜x＜1)阱层(104)具有6nm以上且17nm以下的厚度，GaN/InGaN多重量子阱活性层(105)中所包含的氧原子的浓度在3.0×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN102369590A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014405.0

申请日：2010-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤金正树 ,  井上彰 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16

Abstract: 实行如下工序：将至少在上表面具有-r面氮化物半导体结晶的基板配置在反应室内的工序(S1)；将反应室内的基板进行加热，而使基板的温度上升的升温工序(S2)；在基板上使氮化物半导体层生长的生长工序(S3)。在升温工序(S2)中，将氮气源和III族元素气源供给到反应室内。